2D-TMDs材料光电子性质的模拟研究.pdfVIP

摘要

摘要

随着信息社会的飞速发展，对光电材料的性质要求也日益提高，二维光电材料

的研究正逐步展露头角，成为推动光电技术革新的重要力量。二维光电材料以其独

特的二维结构和优异的性质，在太阳能电池、光电探测器、发光二极管等领域展现

出广阔的应用前景。而基于二维半导体材料对光学性质的研究是具有巨大的发展潜

力和广阔的应用前景。本文利用第一性原理计算方法，研究了空位缺陷对单层和双

MoSWS

层二硫化钼（）和二硫化钨（）体系的自旋电子性质和光学特性研究。此

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外，还研究了过渡金属原子铬（Cr）、锰（Mn）、铁（Fe）、钴（Co）和镍（Ni）

元素掺杂对双层MoS和WS的电子性质和光学的影响情况。这些研究对探索二维

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2D-TMDs

金属硫化物（）材料的光电性质及其相关应用提供了理论基础。并探讨了

黑磷（BP）的相关性质，研究发现：

1）空位缺陷在单层和双层MoS和WS上不会产生磁性，但是会使完美体系的

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MnFeCoNiMoS

能带下降，并在禁带中引入杂质能级；过渡金属元素、、、掺杂双层2

和WS体系，使得体系的能带减小，其中在双层MoS体系下产生了1.00μ、2.00μ、

22BB

2.95μ、4.00μ的磁矩，同样地，在双层WS体系中产生了1.00μ、2.00μ、3.00μ

BB2BBB

4.00μd

和B的磁矩，所产生的磁性主要由金属原子的轨道贡献。

2）双层MoS和WS的介电性能相较于单层有所增强，但空位缺陷会削弱其完

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美结构的峰值表现。同时，引入过渡金属也会导致其介电常数降低。空位缺陷与过

渡金属原子的掺杂，会令整个体系的光谱响应发生红移或蓝移，这种红（蓝）移现

象反映了体系对低（高）能量光谱的敏感程度。特别值得注意的是，空位缺陷与过

渡金属掺杂后的体系，其静介电常数相较于完美结构更高，显示出更强的能量储存

能力。

3）双层MoS和WS相较于单层具有更高的吸收系数，但空位缺陷和过渡金属

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原子的引入均会导致完美体系吸收系数峰值的降低。无论平行极化（E）还是垂直

∥

E

极化（）方向，各体系的吸收系数峰值均集中在紫外光区域，显示出其在紫外光

⊥

吸收器件及光电器件方面的适用性。同时，吸收系数的峰值还出现了红移或蓝移现

象。这种红（蓝）移现象意味着体系在可见光（紫外光）区域的吸收能力得到了增

强，因此在太阳能电池和光催化领域具有潜在的应用价值。

4）在所有结构中能量损失的最大值出现在紫外光区域，而在可见光区域几乎为

零。单层和双层MoS与WS体系的整体反射率偏低，适合作为吸收层材料。空位

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缺陷和金属原子的掺杂进一步减少了体系的反射，增强了入射光的吸收效果。这意

味着入射光的大部分能量都被这些材料所吸收而非反射，因此它们在作为吸收层方

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