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2025年半导体芯片制造工职业技能考试题(含答案)

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.极紫外（EUV）光刻机的工作波长为？

A.193nm

B.248nm

C.13.5nm

D.365nm

答案：C

2.以下哪种工艺用于在晶圆表面形成绝缘层？

A.离子注入

B.化学气相沉积（CVD）

C.干法刻蚀

D.化学机械平坦化（CMP）

答案：B

3.光刻工艺中，“后烘”步骤的主要目的是？

A.去除光刻胶中的溶剂

B.增强光刻胶与晶圆的粘附性

C.促进光刻胶的光化学反应

D.修复曝光后的光刻胶结构

答案：D

4.干法刻蚀相比湿法刻蚀的主要优势是？

A.成本更低

B.各向异性更强

C.工艺时间更短

D.对设备要求更低

答案：B

5.用于形成浅沟槽隔离（STI）的关键工艺是？

A.扩散掺杂

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.反应离子刻蚀（RIE）

D.物理气相沉积（PVD）

答案：C

6.离子注入工艺中，“剂量”参数指的是？

A.离子的能量

B.单位面积注入的离子数量

C.离子的种类

D.注入的时间

答案：B

7.化学机械平坦化（CMP）中，抛光液的主要成分不包括？

A.磨料（如SiO?颗粒）

B.腐蚀剂（如H?O?）

C.表面活性剂

D.光刻胶溶剂

答案：D

8.以下哪种清洗工艺用于去除晶圆表面的金属污染物？

A.SC-1（标准清洗1号液）

B.SC-2（标准清洗2号液）

C.氢氟酸（HF）溶液

D.去离子水（DIW）冲洗

答案：B

9.晶圆的晶向（如100、111）主要影响以下哪种工艺？

A.光刻对准精度

B.刻蚀速率和表面形貌

C.离子注入能量

D.薄膜沉积厚度

答案：B

10.以下哪项是深紫外（DUV）光刻机的典型光源？

A.汞灯（g线，436nm）

B.氪氟准分子激光（248nm）

C.氩氟准分子激光（193nm）

D.极紫外激光（13.5nm）

答案：C

11.薄膜沉积工艺中，“台阶覆盖”指的是？

A.薄膜在晶圆边缘的厚度均匀性

B.薄膜在图形化表面（如沟槽、台阶）的覆盖能力

C.薄膜与基底的粘附强度

D.薄膜的电学性能一致性

答案：B

12.扩散掺杂与离子注入的主要区别是？

A.扩散需要高温，离子注入在常温下进行

B.扩散只能掺杂p型杂质，离子注入可掺杂n型和p型

C.扩散的掺杂深度不可控，离子注入可精确控制

D.扩散用于形成浅结，离子注入用于形成深结

答案：A

13.光刻胶的“分辨率”主要由以下哪个因素决定？

A.光刻机的数值孔径（NA）

B.光刻胶的厚度

C.显影液的浓度

D.前烘的温度

答案：A

14.以下哪种刻蚀工艺属于各向同性刻蚀？

A.反应离子刻蚀（RIE）

B.等离子体刻蚀（PlasmaEtch）

C.湿法化学刻蚀

D.离子束刻蚀（IBE）

答案：C

15.晶圆制造中，“良率”的计算通常基于？

A.单个芯片的功能测试结果

B.整片晶圆上可正常工作的芯片数量占总芯片数的比例

C.关键尺寸（CD）的均匀性

D.薄膜厚度的偏差范围

答案：B

二、判断题（每题1分，共10分。正确填“√”，错误填“×”）

1.光刻工艺中，正性光刻胶曝光部分会被显影液溶解。（）

答案：√

2.干法刻蚀的选择比（对掩膜版与基底的刻蚀速率比）越高，工艺越难控制。（）

答案：×（选择比越高，越易保护掩膜版，工艺更可控）

3.离子注入后必须进行退火，以修复晶格损伤并激活杂质。（）

答案：√

4.化学气相沉积（CVD）的沉积速率仅与温度有关，与气体流量无关。（）

答案：×（沉积速率受温度、气体流量、压力等多因素影响）

5.清洗工艺中，SC-1溶液（NH?OH:H?O?:H?O）主要用于去除金属污染物。（）

答案：×（SC-1主要去除颗粒和有机物，SC-2去除金属）

6.晶圆的“翘曲”会影响光刻的对准精度。（）

答案：√

7.物理气相沉积（PVD）通常用于沉积具有良好台阶覆盖的薄膜。（）

答案：×（PVD台阶覆盖较差，CVD更优）

8.浅沟槽隔离（STI）的填充材料通常为氧化硅（SiO?）。（）

答案：√

9.光刻胶的“敏感