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(新)半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答(+答案)

一、基础知识题（共30分）

1.（单选，5分）关于本征半导体与掺杂半导体，以下描述错误的是：

A.本征半导体中电子浓度等于空穴浓度

B.N型半导体的费米能级靠近导带底

C.掺杂浓度越高，载流子迁移率一定越大

D.室温下，硅的本征载流子浓度约为1.5×101?cm?3

答案：C

解析：掺杂浓度过高时，电离杂质散射增强，迁移率会下降。

2.（填空，5分）硅的禁带宽度约为______eV（室温），热氧化生长SiO?时，低温（900℃）下氧化速率由______控制，高温（1000℃）下由______控制。

答案：1.1；界面化学反应；O?分子在SiO?层中的扩散

3.（单选，5分）PN结外加正向偏压时，耗尽层宽度变化及多子运动方式为：

A.变窄，多子扩散占优

B.变宽，多子漂移占优

C.变窄，少子漂移占优

D.变宽，少子扩散占优

答案：A

解析：正向偏压抵消内建电场，耗尽层变窄，多子扩散电流主导。

4.（填空，5分）MOSFET的阈值电压Vth计算公式为______（写出包含平带电压Vfb、表面势2φf、体效应系数γ的表达式），其中γ=______（用物理参数表示）。

答案：Vth=Vfb+2φf+γ√(2φf)；γ=√(2qNsubεsi)/Cox（Nsub为衬底掺杂浓度，εsi为硅的介电常数，Cox为栅氧化层单位面积电容）

5.（简答，10分）简述DRAM存储单元的基本结构及数据存储原理。

答案：DRAM存储单元由一个MOS管（传输门）和一个电容组成。数据“1”或“0”以电容上存储的电荷（电压）表示：写入时，字线选通MOS管导通，位线电压对电容充电/放电；读取时，电容电荷通过MOS管传输到位线，通过SenseAmp检测电压变化。由于电容存在漏电流，需定期刷新（Refresh）以维持数据。

二、专业技能题（共40分）

6.（分析，15分）某8英寸晶圆厂反馈：近期生产的CMOS芯片中，边缘区域（距晶圆边缘5mm内）的栅氧化层击穿电压（Vbd）显著低于中心区域（平均Vbd=8Vvs中心区10V）。请分析可能的工艺问题及改进措施。

答案：可能原因及改进措施：

（1）边缘光刻胶涂覆不均匀：晶圆边缘旋转涂胶时，离心力导致胶层偏薄，光刻显影后栅氧化层区域掩膜保护不足，后续氧化时受到污染（如颗粒附着），导致氧化层缺陷增多。改进：优化涂胶工艺（调整转速、增加边缘去胶步骤），使用边缘环（EdgeBeadRemover）控制胶层厚度。

（2）氧化炉内温度均匀性差：晶圆边缘靠近炉壁，温度低于中心区，氧化速率降低，导致栅氧化层厚度偏薄（厚度tox与Vbd正相关）。改进：校准氧化炉温场，增加边缘加热模块（如使用RTP快速热氧化替代常规炉管氧化）。

（3）CMP（化学机械抛光）边缘过抛：栅极多晶硅沉积后，CMP时边缘压力过大，导致多晶硅残留或氧化层损伤。改进：调整CMP压力分布（使用边缘压力补偿技术），优化抛光液配方（降低对氧化层的腐蚀速率）。

7.（计算，15分）某NMOS器件参数如下：沟道长度L=0.13μm，宽度W=1.3μm，栅氧化层厚度tox=4nm（εox=3.9×8.85×10?1?F/cm），衬底掺杂浓度Nsub=1×101?cm?3，Vgs=2V，Vds=1.2V（处于饱和区），测得漏极电流Id=0.8mA。计算该器件的载流子迁移率μ（取q=1.6×10?1?C，εsi=11.9×8.85×10?1?F/cm）。

答案：

饱和区电流公式：Id=(1/2)μCox(W/L)(Vgs-Vth)2

首先计算Cox：Cox=εox/tox=(3.9×8.85×10?1?F/cm)/(4×10??cm)=8.6×10??F/cm2

计算Vth：Vth=Vfb+2φf+γ√(2φf)

其中，φf=(kT/q)ln(Nsub/ni)=0.026V×ln(1e17/1.5e10)=0.026×16.5≈0.43V

γ=√(2qNsubεsi)/Cox=√(2×1.6e-19×1e17×11.9×8.85e-14)/8.6e-7

=√(2×1.6e-19×1e17×1.05e-12)/8.6e-7

=√(3.36e-14)/8.6e-7≈1.83e-7/8.6e-7≈0.213V^(1/2)

假设Vfb=-0.5V（典型值），则Vth=-0.5+2×0.43+0.213×√(0.86)≈-0.5+0.86+0.213×0.93≈0.56V

代入Id公式：

0.8e-3A=(1/2)×μ×8.6e-7F/cm2×(1.3μm/0.13μm)×(2V-0.5