2025年大学《物理学》专业题库—— 物理学专业中的晶体生长与化学交互作用.docxVIP

2025年大学《物理学》专业题库——物理学专业中的晶体生长与化学交互作用

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的代表字母填在题后括号内）

1.在晶体生长过程中，界面处的过饱和度（ε）是影响生长速率的主要因素之一。当ε增大时，经典成核的临界半径（r*）将如何变化？

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

2.下列哪种晶体缺陷通常被认为对晶体的力学性能和光学透明度有不利影响？

A.晶格空位

B.位错

C.结点原子

D.堆垛层错

3.在分子束外延（MBE）技术中，生长薄膜的厚度和质量主要取决于？

A.生长温度

B.气源分压

C.束流强度

D.以上所有因素

4.对于溶液生长晶体，如KDP的生长，其生长界面通常被认为是？

A.固-液界面

B.固-气界面

C.液-气界面

D.固-固界面

5.某种杂质原子在晶体中偏析到晶界或表面，这种现象在热力学上是因为？

A.熵增加

B.焓减少

C.吉布斯自由能降低

D.系统达到平衡

6.在Czochralski（Cz）法生长单晶过程中，通常需要缓慢降低拉晶速度，其主要目的是？

A.防止晶体旋转不均

B.促进溶质元素在晶体中的均匀分布

C.加快晶体生长速率

D.提高晶体成核密度

7.晶体生长过程中，界面台阶的存在对于原子在界面上的吸附和迁移有何作用？

A.阻碍原子迁移

B.促进原子迁移

C.对原子迁移无影响

D.只影响原子吸附

8.下列哪项不是影响晶体生长形貌（如生长方向、表面台阶形态）的关键因素？

A.界面能

B.晶体对称性

C.成长温度梯度

D.拉伸应力

9.在研究掺杂对半导体材料能带结构的影响时，主要考虑的是杂质原子与宿主晶格原子之间的？

A.电荷转移

B.晶格间距差异

C.对称性匹配

D.相对原子质量

10.熔体生长晶体时，如果熔体中存在多种组分，则各组分在晶体中的浓度会与其在熔体中的浓度不同，这种现象称为？

A.固溶体效应

B.分配系数现象

C.化学势平衡

D.毛细作用

二、填空题（请将答案填在横线上）

1.晶体生长过程中，原子或离子在界面处的吸附、表面扩散和进入晶格三个步骤构成了________。

2.影响晶体生长速度的另一重要因素是界面迁移率，它取决于温度和________。

3.在晶体生长过程中，点缺陷（如空位、填隙原子）的浓度通常远低于理想晶体的浓度，这种状态称为________。

4.对于三元合金体系的晶体生长，相图上的________线和________线共同决定了生长区域内液相和固相的化学成分。

5.晶体生长界面的形态，如step-flow生长或islandgrowth，主要受控于界面的________和系统温度。

6.杂质在晶体中的存在形式可以是替位式或填隙式，其行为（如溶解度、偏析趋势）与其________和与晶格的________有关。

7.热力学第二定律指出，一个自发过程总是朝着________增加的方向进行。

8.拉曼光谱和________光谱是研究晶体振动模式（声子）和光学性质常用的光谱技术。

9.气相外延（VPE）技术中，通过控制反应气体的________和温度，可以在基片上生长特定组成的薄膜。

10.晶体缺陷的存在会改变晶体的电子结构，从而显著影响其________和________等物理性质。

三、简答题（请简洁明了地回答下列问题）

1.简述经典成核理论的基本思想，并解释什么是过饱和度。

2.简要说明固溶体的类型（置换型、间隙型），并举例说明杂质原子在固溶体中的作用。

3.比较气相外延（VPE）和液相外延（LPE）两种技术的原理、特点及主要区别。

4.描述位错在晶体材料中的作用（至少列举两方面的作用）。

5.解释什么是化学势，并说明它在晶体生长过程中如何影响组分的分布。

四、计算题（请列出必要的公式、方程和计算步骤）

1.某晶体生长过程符合线性生长动力学，即在稳态条件下，生长速率V与界面处的过饱和度ε的立方根成正比，即V=kε^(1/3)，其中k为比例常数。若在某一时刻，ε=10^5，测得生长速率为1微米