2025年(完整版)电力电子技术简答题及答案.docx

2025年(完整版)电力电子技术简答题及答案

1.宽禁带半导体器件（如SiC、GaN）相较于传统硅基器件的主要优势及典型应用场景？

宽禁带半导体器件的核心优势源于其材料特性：SiC禁带宽度约3.26eV（硅为1.12eV），击穿场强是硅的10倍，允许更薄的漂移层，导通电阻降低至硅器件的1/100；GaN禁带宽度约3.4eV，电子迁移率更高（约1500cm2/V·s），适合高频应用。具体优势包括：①耐高压高温（SiC可在600℃工作，硅仅150℃）；②开关损耗低（SiCMOSFET开关时间比硅IGBT短80%）；③高频特性好（GaNHEMT可工作于10MHz以上）。典型应用场景：