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第54卷第9期加工工艺ISSN1001-3814

2025年5月HotWorkingTechnologyCN61-1133/TG

DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.

rjggy@

Al掺杂调控SiGe合金的热电性能研究

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程展旗,李杰,段兴凯

(1.南昌大学物理与材料学院,江西南昌330031;2.九江学院九江市新能源材料及器件应用重点实验室,江西

九江332005)

摘要SiGe合金是一种拥有巨大潜力的高温区热电材料遥在硅锗合金体系中p型SiGe合金系列热电材料的

电性能相对较低遥为了提升p型SiGe合金的电性能最有效的手段是通过引入合适的第二相原子进行掺杂遥将Al掺

杂到SiGe当中采取电弧熔炼结合压制备了SiAlGe渊x=00.0150.0200.0250.030冤块体样品探究了主元

0.850.150.85-xx0.15

素掺杂材料电性能的影响遥结果表明Al部分替代Si后明显提高了载流子浓度改善了材料的电性能遥其中样

品SiAlGe渊x=0.015冤在900K时功率因子提升至0.9伊10-3W窑m-1窑K-2相于没有掺杂的样品提高了约8倍遥合

0.85-xx0.15

金样品的热电优值ZT值随着Al的掺杂也均有了一定提升并且在900K时SiAlGe渊x=0.015冤的ZT值提升至最

0.85-xx0.15

大为0.18遥

关键词SiGe合金曰掺杂曰载流子浓度曰功率因子曰热电性能

中图分类号TB34文献标识码A文章编号1001-3814(2025)09-0087-05

ResearchonThermoelectricPropertiesofSiGeAlloyControlledbyAlDoping

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