第四章半导体的高温掺杂.pptVIP

余误差函数分布（erfc）表面浓度恒定杂质总量增加扩散深度增加高斯函数分布（Gaussian）表面浓度下降(1/?t)杂质总量恒定结深增加关键参数Cs（表面浓度）xj（结深）Rs（薄层电阻）*第29页，共46页，星期日，2025年，2月5日二步扩散第一步为恒定表面源扩散(称为预沉积或预扩散)控制掺入的杂质总量第二步为有限表面源扩散(称为主扩散或再分布)控制扩散深度和表面浓度*第30页，共46页，星期日，2025年，2月5日一、液态源扩散二、固态源扩散4.3扩散方法*第31页，共46页，星期日，2025年，2月5日一、液态源扩散液态源扩散是指杂质源为液态，保护性气体把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应释放出杂质原子，然后以原子的形式进入硅片内部，从而形成PN结。*第32页，共46页，星期日，2025年，2月5日*第33页，共46页，星期日，2025年，2月5日*第1页，共46页，星期日，2025年，2月5日掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状（dopingprofile）。MOSFET：阱、栅、源/漏、沟道等BJT：基极、发射极、集电极等掺杂应用：BECppn+n-p+p+n+n+BJTpwellNMOS掺杂工艺:热扩散法掺杂（diffusion）

离子注入法掺杂(ionimplant)*第2页，共46页，星期日，2025年，2月5日掺杂过程气/固相扩散离子注入或退火预淀积＝优点缺点预淀积控制剂量恒定剂量推进退火离子注入气/固相扩散室温掩蔽无损伤掺杂精确剂量控制产率高1011～1016/cm2剂量精确的深度控制高浓度浅结形成灵活损伤位错会导致结漏电需要长时间驱入退火，可能获得低表面浓度沟道效应会影响杂质分布低剂量预淀积困难注入损伤增强扩散受到固溶度限制*第3页，共46页，星期日，2025年，2月5日4.1扩散现象扩散模型扩散是一种物理想象，是因为分子受到热运动的驱动而使物质由浓度高的地方移向浓度低的地方。扩散可以发生在任何时间和任何地方。如香水在空气中扩散；糖，盐在溶液中扩散。扩散的发生需要的条件：浓度差；*第4页，共46页，星期日，2025年，2月5日1.热扩散法掺杂热扩散是最早使用也是最简单的掺杂工艺，主要用于Si工艺。利用原子在高温下的扩散运动，使杂质原子从浓度很高的杂质源向硅中扩散并形成一定的分布。*第5页，共46页，星期日，2025年，2月5日氧化扩散炉*第6页，共46页，星期日，2025年，2月5日扩散炉中的硅片用装片机将硅片装载到石英舟上*第7页，共46页，星期日，2025年，2月5日热扩散步骤热扩散通常分两个步骤进行：------预淀积（predeposition）也称预扩散----推进（drivein）/再分布*第8页，共46页，星期日，2025年，2月5日预淀积（预扩散）预淀积:温度低(炉温通常设为800到1100℃),时间短,因而扩散的很浅,可以认为杂质淀积在一薄层内。目的是为了控制杂质总量即形成一层较薄但具有较高浓度的杂质层。预淀积为整个扩散过程建立了浓度梯度。表面的杂质浓度最高,并随着深度的增加而减小,从而形成梯度。在扩散过程中，硅片表面杂质浓度始终不变,因此这是一种恒定表面源的扩散过程。*第9页，共46页，星期日，2025年，2月5日推进（主扩散）推进是利用预淀积所形成的表面杂质层做杂质源，在高温下（炉温在1000到1250℃）将这层杂质向硅体内扩散。目的为了控制表面浓度和扩散深度。通常推进的时间较长，推进是限定表面源扩散过程。*第10页，共46页，星期日，2025年，2月5日二维扩散（横向扩散）一般横向扩散(0.75~0.85)*Xj(Xj纵向结深)*第11页，共46页，星期日，2025年，2月5日Xj0.75~0.85Xj横向扩散*第12页，共46页，星期日，2025年，2月5