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扩散工序试题及答案
一、单选题(每题2分,共20分)
1.扩散工序中,下列哪种气体通常不作为扩散剂的源气体?()
A.硼烷(BH3)B.磷烷(PH3)C.氮气(N2)D.硅烷(SiH4)
【答案】C
【解析】扩散工序中常用作扩散剂的源气体包括硼烷、磷烷和硅烷等,而氮气通常不作为扩散剂。
2.扩散工序中,为了提高扩散效率,通常采用下列哪种方法?()
A.降低温度B.提高压力C.增加扩散剂浓度D.延长扩散时间
【答案】C
【解析】增加扩散剂浓度可以提高扩散效率,降低温度虽然有利于扩散但会减慢速度,提高压力对扩散效率影响不大,延长扩散时间会增加成本且不一定提高效率。
3.扩散工序中,扩散层的厚度主要取决于下列哪个因素?()
A.扩散温度B.扩散时间C.扩散剂浓度D.基板材料
【答案】B
【解析】扩散层的厚度主要取决于扩散时间,扩散时间越长,扩散层越厚。
4.扩散工序中,下列哪种设备通常不用于扩散工序?()
A.扩散炉B.真空炉C.光刻机D.离子注入机
【答案】C
【解析】光刻机主要用于光刻工艺,不用于扩散工序。扩散炉、真空炉和离子注入机都可用于扩散工序。
5.扩散工序中,扩散层的均匀性主要受下列哪个因素影响?()
A.扩散温度B.扩散时间C.扩散剂浓度D.基板材料
【答案】A
【解析】扩散温度对扩散层的均匀性影响较大,温度均匀性直接影响扩散层的均匀性。
6.扩散工序中,下列哪种材料通常不用于制作扩散层?()
A.硼B.磷C.硅D.氮
【答案】D
【解析】扩散工序中常用硼、磷和硅等元素制作扩散层,氮通常不用于制作扩散层。
7.扩散工序中,为了防止扩散层氧化,通常采用下列哪种方法?()
A.氮化处理B.氧化处理C.真空处理D.热处理
【答案】A
【解析】氮化处理可以防止扩散层氧化,提高扩散层的稳定性。
8.扩散工序中,扩散层的导电性主要取决于下列哪个因素?()
A.扩散温度B.扩散时间C.扩散剂浓度D.基板材料
【答案】C
【解析】扩散剂的浓度直接影响扩散层的导电性,浓度越高,导电性越好。
9.扩散工序中,下列哪种工艺通常不与扩散工序结合使用?()
A.光刻B.离子注入C.化学气相沉积D.热氧化
【答案】C
【解析】化学气相沉积通常不与扩散工序结合使用,而光刻、离子注入和热氧化常与扩散工序结合使用。
10.扩散工序中,扩散层的应力主要取决于下列哪个因素?()
A.扩散温度B.扩散时间C.扩散剂浓度D.基板材料
【答案】A
【解析】扩散温度对扩散层的应力影响较大,温度越高,应力越大。
二、多选题(每题4分,共20分)
1.以下哪些是扩散工序的常见应用?()
A.制作晶体管B.制作二极管C.制作电阻D.制作电容E.制作集成电路
【答案】A、B、C、E
【解析】扩散工序常用于制作晶体管、二极管、电阻和集成电路,不用于制作电容。
2.以下哪些因素会影响扩散层的均匀性?()
A.扩散温度B.扩散时间C.扩散剂浓度D.基板材料E.设备均匀性
【答案】A、B、C、E
【解析】扩散温度、扩散时间、扩散剂浓度和设备均匀性都会影响扩散层的均匀性,基板材料影响较小。
3.以下哪些是扩散工序中常用的设备?()
A.扩散炉B.真空炉C.光刻机D.离子注入机E.热氧化炉
【答案】A、B、D、E
【解析】扩散炉、真空炉、离子注入机和热氧化炉都是扩散工序中常用的设备,光刻机不用于扩散工序。
4.以下哪些是扩散工序中常用的扩散剂?()
A.硼烷(BH3)B.磷烷(PH3)C.硅烷(SiH4)D.氮气(N2)E.氧气(O2)
【答案】A、B、C
【解析】扩散工序中常用的扩散剂包括硼烷、磷烷和硅烷,氮气和氧气不作为扩散剂。
5.以下哪些措施可以防止扩散层氧化?()
A.氮化处理B.氧化处理C.真空处理D.热处理E.水汽处理
【答案】A、C、D
【解析】氮化处理、真空处理和热处理可以防止扩散层氧化,氧化处理和水汽处理反而会促进氧化。
三、填空题(每题4分,共16分)
1.扩散工序中,常用的扩散剂包括______、______和______。
【答案】硼烷(BH3)、磷烷(PH3)、硅烷(SiH4)
2.扩散工序中,扩散层的厚度主要取决于______,扩散层的均匀性主要取决于______。
【答案】扩散时间、扩散温度
3.扩散工序中,为了防止扩散层氧化,通常采用______处理。
【答案】氮化
4.扩散工序中,扩散层的导电性主要取决于______,扩散层的应力主要取决于______。
【答案】扩散剂浓度、扩散温度
四、判断题(每题2分,共10分)
1.扩散工序中,扩散层的厚度主要取决于扩散温度。()
【答案】(×)
【解析】扩散层的厚度主要取决于扩散时间,扩散时间越长,扩散层越厚。
2.扩散工序中,扩散层的均匀性主要取决于设备均匀性。()
【答案】(√)
【解析】设备均匀性对扩
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