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集成电路的制造工艺改进考核试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.以下哪种光刻技术是当前实现先进节点集成电路制造的主流技术？

A.KrF准分子激光光刻

B.ArF浸没式光刻

C.EUV极紫外光刻

D.等离子体光刻

2.在集成电路制造中，原子层沉积（ALD）技术的主要优势在于？

A.沉积速率非常高

B.能在复杂三维结构上实现极佳的均匀性

C.可以沉积各种金属和非金属薄膜

D.设备成本相对较低

3.离子注入工艺中，通过改变离子注入的（）来控制掺杂元素的最终分布深度？

A.离子种类

B.注入能量

C.注入剂量

D.退火温度

4.以下哪项技术是三维集成电路（3DIC）实现高互连密度的关键技术之一？

A.深沟槽刻蚀

B.硅通孔（TSV）

C.堆叠封装

D.自对准技术

5.在湿法刻蚀中，选择性地只刻蚀特定材料而保护邻近材料的过程称为？

A.各向同性刻蚀

B.异向性刻蚀

C.选择性刻蚀

D.干法刻蚀

6.随着集成电路特征尺寸不断缩小，对光刻工艺提出的最大挑战是？

A.提高沉积速率

B.增大晶圆尺寸

C.实现更高的分辨率和更小的线宽

D.降低生产成本

7.化学气相沉积（CVD）工艺中，等离子体增强化学气相沉积（PECVD）相比低压化学气相沉积（LPCVD）的主要优点是？

A.沉积速率更快

B.能在较低温度下沉积高质量薄膜

C.设备结构更简单

D.成本更低

8.在集成电路制造过程中，导致产品合格率下降的工艺环节通常被称为？

A.工艺放大

B.工艺窗口

C.工艺缺陷

D.统计过程控制

9.高AspectRatio深紫外光刻（LPP）技术主要解决先进节点光刻中的哪个问题？

A.线宽粗糙度

B.周期性特征尺寸限制

C.刻蚀选择性差

D.掺杂均匀性差

10.以下哪种封装技术允许芯片之间通过硅通孔进行垂直互连？

A.Fan-outPoP

B.2.5DInterposer

C.Fan-inWLCSP

D.3DStackedPackage

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填写在横线上）

1.为了克服传统ArF浸没式光刻分辨率极限，需要开发__________光刻技术，其光源波长从193nm进一步缩短至13.5nm。

2.在薄膜沉积工艺中，原子层沉积（ALD）技术通过连续通入两种或多种前驱体气体，并在每次通入后进行__________和__________，实现原子级精度的控制。

3.离子注入后的退火工艺主要目的是__________注入离子的能量，使其在晶格中迁移并占据晶格点，同时__________注入过程中产生的晶格损伤。

4.先进封装技术中的__________封装允许将多个裸片通过硅通孔（TSV）和基板互连层进行高密度堆叠。

5.影响刻蚀均匀性的因素包括刻蚀气体流量、__________、晶圆旋转速度以及__________等。

6.集成电路制造过程中的统计过程控制（SPC）旨在通过监控关键工艺参数，及时发现并__________工艺异常，以维持产品__________的稳定性。

7.在光刻工艺中，定义图形能够清晰、准确传递到涂覆有光刻胶的晶圆上的最小尺寸范围称为__________。

8.氮化硅（SiN）是一种常见的集成电路薄膜材料，它在刻蚀过程中通常表现出对硅和金属的良好__________特性，常用于做刻蚀停止层。

9.随着特征尺寸缩小，漏电流问题日益严重，采用高介电常数（High-k）材料替换传统的二氧化硅（SiO2）作为栅介质是__________技术的关键改进之一。

10.2.5D封装通过使用一层__________作为中间层，将不同功能或工艺节点不同的芯片互连起来。

三、简答题（每题5分，共20分。请简要回答下列问题）

1.简述提高光刻分辨率的主要技术途径。

2.离子注入工艺中，什么是注入剂量？它对器件性能有何影响？

3.对比说明物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种主要薄膜沉积技术的区别。

4.简述先进封装技术（如2.5D/3D封装