电子封装用高硅铝合金化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法.docxVIP

ICS01.040.01

C65

T/COS

团体标准

T/COS029-2025

电子封装用高硅铝合金化学分析方法痕量杂质元素的测定辉光放电质谱法

Methodsforchemicalanalysisofhighsiliconaluminumalloyfor

electronicpackagingDeterminationoftraceimpurityelements

contents—Dlowdischargemassspectrometry

2025-10-01发布2025-10-01实施

中国兵工学会发布

I

T/COS029-2025

目录

前言 1

1范围 1

2规范性引用文件 2

3术语和定义 2

3.1 2

背景空白样品 2

3.2 2

质量校正标准样品 2

3.3 2

仪器检测器校正标准样品 2

3.4 2

ICE 2

3.5 2

半定量分析法 2

4原理 2

5试剂和材料 3

5.1无水乙醇(ρ约0.789g/mL），优级纯。 3

5.2盐酸(ρ约1.19g/mL），优级纯。 3

5.3硝酸(ρ约1.42g/mL），优级纯。 3

5.4氢氟酸(ρ约1.19g/mL），优级纯。 3

5.5王水（1+3） 3

5.6盐酸（1+1） 3

5.7氩气 3

5.8高硅铝合金标准物质 3

6仪器设备 3

6.1辉光放电质谱仪（GDMS） 3

6.2制样加工设备 4

7样品 4

7.1试样具有均匀性和代表性 4

7.2常规棒状或片状金属样品 4

8试验步骤 5

8.1仪器准备工作 5

8.2测定 5

8.3相对灵敏度因子的测定 5

8.4样品测量 6

9试验数据处理 6

11检测报告10精密度 6

11检测报告

7

T/COS029-2025前言

T/COS029-2025

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

请注意，本文件部分内容可能包含专利信息，但发布机构不承担识别或确认专利有效性的责任。

本标准归口单位：中国兵器工业集团第五二研究所。

本标准负责起草单位：中国兵器工业集团第五二研究所，中国兵器工业集团第五三研究所，中国电子科技集团公司第二十九研究所。

本标准主要起草人：翟宇鑫、连危洁、杜喜望、韩震、崔崇亮、崔意娟、李爽、田兆永、李颖、陈伟、马兰、韩振生、李惠雨、张毅飞、赵敏

本标准为第1版

T/COS029-2025

电子封装用高硅铝合金化学分析方法

痕量杂质元素的测定

辉光放电质谱法

1范围

本文件规定了电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定方法。

本文件适用于电子封装用高硅铝合金（硅添加量≥40%）中痕量杂质元素含量的测定。测定范围覆盖除气体元素外的其他杂质元素，质量分数为0.1㎎/㎏-500㎎/㎏，且经标准样品校正后，可对样品进行准确的定量分析。

表1各元素测定范围

元素

测定范围/

㎎/㎏

元素

测定范围/

㎎/㎏

元素

测定范围/

㎎/㎏

Li

0.1~50

Cu

0.1~50

In

0.1~50

Be

0.1~50

Ga

0.1~100

Sn

0.1~50

B

0.1~50

Ge

0.1~50

Ba

0.1~50

Na

0.1~100

As

0.1~50

La

0.1~50

Mg

0.1~500

Br

0.1~50

Ce

0.1~50

P

0.1~50

Rb

0.1~10

Pr

0.1~10

Cl

0.1~100

Sr

0.1~50

Nd

0.1~10

Sc

0.1~50

Y

0.1~50

Sm

0.1~10

Ti

0.1~200

Zr

0.1~50

Gd

0.1~10

V

0.1~250

Mo

0.1~100

Dy

0.1~10

Cr

0.1~500

Nb

0.1~50

Hf

0.1~10

Fe

0.1~500

Tc

0.1~50

Ta

0.1~50

Mn

0.1~100

Pd

0.1~10

W

0.1~50

Co

0.1~50

Ag

0.