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变量相互关系分析仿真运行结束自动生成以时间为X轴缺省变量的时域波形。如希望研究变量相互之间的关系可以在PROBE窗口中选择PLOT（即分析类型设置）改变X轴设置（Axisvariable），比如可选择电感中电流作为X轴变量，而生成研究其与电容上电压的关系的曲线即相平面图。第29页，共61页，星期日，2025年，2月5日X轴的设定缺省为时间，作特殊分析时，可以由选项plot进入，按仿真需要设置轴。第30页，共61页，星期日，2025年，2月5日第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日在进行扫描时可以先选取一组定义横轴，然后其它各族均采用相同的坐标系从而在同一平面上画出不同参数对系统稳态响应当影响。第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日性能分析对于扫描结果，可以进行性能分析。其步骤如下：1.在PROBE窗口中，选择TRACE即分析种类；2.选择Perfoemance3.Wizard（功能）4.目标函数（GOALFUNCTION）5.Searchtrace（对象）6.显示曲线。给出器件在回路电感不同时所承受的峰值电压的大小，如与其他分析结合可优化系统参数。Wizard第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日蒙特卡洛和最坏条件分析二者的目的均是利用统计方法分析器件误差对电路特性的影响程度，worst(WC)分析是对电路进行灵敏度和最坏条件分析，即找出使输出信号偏差最大的元件值；而montecarlo(MC)分析则是在误差范围中以随机取样的方式就元件误差对电路特性的影响进行统计分析,以优化参数。其中第一次运行用标称值仿真，其后根据各个器件参数的容差规定随机选取在限度内偏离标称值的不同值进行运算；并将各次结果与标称结果进行比较，得到元器件容差引起的输出结果偏离的统计分析。蒙特卡洛分析：在元件误差范围中随机变化元件的参数，然后将系统的响应记录下来，进行分析，次数可由用户定义，但第一次是采用标称值进行仿真。由于元件的误差通常呈现高斯分布，所以如随机数采用高斯曲线分布可以得到更好的效果。1.分析类型：分为LOT（相同模型器件参数全部同时变化，适于集成电路）和DEV（器件参数分别变化）两种。2.对照函数（FUNCTION）：Ymax:此后运行中和标称结果最大差；Max(Min)：波形最大（小）值；Fall(Rise):第一次小（大）于阈值；RangeHi(Lo):评价函数上（下）限；3.MC分析：List：每次运行种模型和参数All：所有输出First：第一轮运行中第n次数据Every：每轮运行中第n次数据Runs：仅列指定运行次数数据选择扫描次数；随机数的形式，即UNIFORM（均匀分布）和GAUSSIAN（高斯分布）；设置存储结果的形式。其后点击MoreSelection选择分析结果的形式.采用升降压斩波器进行分析。第34页，共61页，星期日，2025年，2月5日对于非库存的无源和半导体器件Orcad提供了一组所谓Breakout（开放式）器件，用户可以根据仿真的需要对其参数进行编辑，从而可以在进行统计分析时设置偏差。基本的开放模型名称是由内建模型名称加后缀BREAK构成，在用户不另加说明的条件下其参数为内建模型的缺省值。第35页，共61页，星期日，2025年，2月5日第36页，共61页，星期日，2025年，2月5日分析功能（FUNCTION）：Ymax:运行结果和标称结果最大差值；Max(Min)：每个波形最大（小）值；Fall(Rise)_EDGE:第一次下降（上升）经过阈值；Direction:Hi（Low）向上（下）偏移；打勾选择列出所有参数。第37页，共61页，星期日，2025年，2月5日MONTECARLONOMINAL**********************************************************************************CURRENTMODELPARAMETERSFORDEVICESREFERENCINGCbreakC_C1C1.0000E+00MONTECARLOPASS2