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NO.179

SiC在新能源汽车的应用和

产业化进展

1车用SiC功率器件概述

美国能源部制定的目标是要将电机驱动控制器的功率密度提高到100

千瓦/升，而我们的“十四五”重点研发计划也将这一指标提高到

100千瓦/升。

为了实现这一目标，世界各国的研究者纷纷把目光集中到碳化硅等

新一代的半导体器件。跟传统的器件相比它的导通电阻小，可高温

工作，现有的工作温度可以高达200-250度。它的开关速度比传统

的硅器件要快三到五倍左右。

硅基的器件由于它本身的特性，无论功率还是电压，覆盖面是最广

的，同时由于它的技术成熟度、商业成熟度，性价比是比较高的，

所以在长时间还会占据比较主流的位置。

碳化硅具有比较高的抗压频率，中高压功率也比较大，氮化镓更加

适用的是低压、超高频的应用场景，笔记本电脑的充电插头很多已

经采用到了氮化镓的器件。

碳化硅作为第三代半导体，有四大优势：高禁带宽度、高电场强度、

高电子饱和速率、高导热系数。当前的硅基IGBT目前在600V以上，

以及更高的电压场合，它的性能已经逼近极限。

为了提升在高压高功率下的器件性能，第三代半导体就成为一个理

想的替代品。

汽车是一个空间受限，同时相对温度和散热比较难处理，又高温、

高湿、高热量这些场景，对电子器件就会带来高功率密度、耐高温

这样的诉求，刚好落在了碳化硅先天性比较适用的领域，所以这也

是为什么碳化硅在汽车领域越来越多被采用的原因。

在主驱上大家核心的痛点就是在于续航里程、更高的功率密度，碳

化硅可以解决当下电池成本高的问题，采用碳化硅能够有效提高续

航里程。英飞凌预测到今年底碳化硅的占比会超过32%，目前以国

内整个形势来看，国内的碳化硅步伐可能走得更快一些。

但它良好的性能与它的价格是几乎成正比的，无论是分立器件还是

功率模块，碳化硅本身的成本是相当昂贵的，这导致进行简单的替

换是无法直接形成产品成本优势的。

必须通过系统的配合来充分发挥碳化硅器件的性能，才能实现整体

成本的降低。现在碳化硅已经纷纷上车量产，具体例子比如像特斯

拉、比亚迪汉还有一些造车新势力的新车型都采用碳化硅器件。

相对都是比较高端的车型容易实现，原因还是成本价格相对昂贵。

2车规级SiC的技术要求

行业里为了快充要做800V，做800V以后不做碳化硅效率不行，碳

化硅成本很高，所以他还需要有一些题材，所以就把800V做出1000

公里了，所以现在的一个常用的组合就是“800V碳化硅千公里”。

如果用同样大小的电池包的体积要做更长的续驶里程，那必然就要

用高功率密度电池，电池又是一个新物种，也不是很成熟，成本也

非常高，实际上如果真做这么一个车，这个车的成本比正常的要至

少高10万块钱。

从这个角度来看，虽然大家都在做碳化硅，如果达到20%以上的渗

透率必然要做出非常强大的性价比才行，一定是要把碳化硅这个技

术所带来的成本增加，所带来的负面影响要尽可能的从系统角度去

弥补回来。

也就是把效率提高，把电池省一省，把功率密度提高，频率提高，

把NVH这些东西弄好一点，电驱动的效率高一点，体积小一点，从

各方面把这个成本找回来，最后还是看性价比是不是能够达标，因

为企业最终都是要挣钱的。

电动汽车大家核心关注的三个点，第一，长的续航里程，第二，更

高的功率密度，更小的体积，第三，综合的性价比。

抛开第三个性价比，其它两点都会比较难落地。

混动车更多会聚焦在IGBT上，因为整个功率密度和成本要求会更高

一些。

对于装配电池量比较高的，尤其超过50度或者70度电的高端电动车

来讲，通常会在长期工作的主轴上采用碳化硅。

急加速或者不是通常用的辅驱的轴上采用IGBT。

基于英飞凌自己的双面水冷IGBT以及双面水冷的碳化硅，进行在

WLTP工况下的仿真跟实测的比对分析。

结果是基于碳化硅的技术，在整个工况下可以达到75%的导通损耗

降低，大于60%的开关损耗降低，整个损耗会降低60%以上。

英飞凌针对400V以及800V的系统做了WLTP工况下的一些仿真分析，

400V的系统下采用碳化硅的产品可以让续航里程提升大概4%-5%，

750V的IGBT本身基础底子比较好。

1200V的系统，因为IGBT本身在高压下它的底子没有750V那么好，

所以它的基线会往后拉一些，800V看起来更可观一些。

整体来看，1200V走到高压化对整个系统的提升还是会稍微高一些。

3SiC的优势

碳化硅没有门槛电压，在小电流阶段的时候，它低损耗的优势就会

比较明显。电动汽车大部分应用实际上是一个比较小的功率，所以