纳米薄膜制备.pptVIP

第1页，共25页，星期日，2025年，2月5日(1)纳米薄膜的制备方法(ⅰ)液相法(a)溶胶-凝胶法．该方法制备纳米薄膜的基本步骤如下：首先用金属无机盐或有机金属化合物制备溶胶，然后将衬底(如SiO2玻璃衬底等)浸入溶胶后以一定速度进行提拉，结果溶胶附着在衬底上，经一定温加热后即得到纳米微粒的膜．膜的厚度控制可通过提拉次数来控制。(b)电沉积法．一般Ⅱ-Ⅵ族半导体薄膜可用此法制备。第2页，共25页，星期日，2025年，2月5日(1)纳米薄膜的制备方法(ⅱ)气相法(a)高速超微粒子沉积法(气体沉积法)．基本原理是：用蒸发或溅射等方法获得超微粒子，用一定气压的惰性气体作载流气体，通过喷嘴，在基板上沉积成膜．第3页，共25页，星期日，2025年，2月5日(a)高速超微粒子沉积法美国喷气制造公司采用该工艺成功地制备出纳米多层膜，陶瓷-有机膜、颗粒膜等．右图是他们采用气体沉积法中的多喷嘴，转动衬底制备微粒的示意图。第4页，共25页，星期日，2025年，2月5日(a)高速超微粒子沉积法日本真空冶金公司的SeichioKashu等人用的设备如右图所示．他们用此方法制备了各种金属纳米薄膜．第5页，共25页，星期日，2025年，2月5日(b)直接沉积法是当前制备纳米薄膜普遍采用的方法，基本原理：把纳米粒子直接沉淀在低温基片上．制备方法主要有三种：惰性气体蒸发法、等离子溅射法和辉光放电等离子诱导化学气相沉积法．基片的位置、气体的压强、沉淀速率和基片温度是影响纳米膜质量的重要因素．第6页，共25页，星期日，2025年，2月5日(Ⅰ)金属-非金属纳米复合膜的制备当C2H5+/Ar+10-2时，只获得组成基本上为金属的纳米粒子膜；C2H5+/Ar+=10-1～10-2时，可获得不同金属颗粒含量的膜。（美国IBM公司）第7页，共25页，星期日，2025年，2月5日体积分数(volumefraction)变化第8页，共25页，星期日，2025年，2月5日(Ⅱ)铜-高聚物纳米镶嵌膜的制备这种镶嵌膜(embaddedfilm)是把金属纳米粒子镶嵌在高聚物的基体中．其装置的示意图如右图所示．第9页，共25页，星期日，2025年，2月5日(c)气相法制备纳米薄膜的几个主要影响因素(Ⅰ)衬底(基片)的影响(包括衬底材质的选择和温度的影响)．(Ⅱ)制备方法的影响．方法膜生长初期的结构晶格常数(?)蒸发法fcc3.68离子束法fcc4.02磁控溅射法bcc3.32电子回旋共振等离子溅射法fcc4.08表9-3四种不同沉积法得的Ti纳米膜的结构第10页，共25页，星期日，2025年，2月5日(2)纳米颗粒膜和多层膜颗粒膜是一类具有广泛应用前景的人工材料．其特性随膜的组成、工艺条件等参量的变化而变化，因此可以在较多自由度的情况下人为地控制复合膜的特性．第11页，共25页，星期日，2025年，2月5日(2)纳米颗粒膜和多层膜目前研究较为集中的颗粒膜大体有以下三类：(ⅰ)金属微粒—绝缘体薄膜(例如：Fe-SiO2薄膜)；(ⅱ)金属微粒—半导体薄膜(例如：Ag-Cs2O薄膜);(iii)半导体微粒—绝缘体薄膜(例如：CdTe-SiO2)薄膜.第12页，共25页，星期日，2025年，2月5日(a)光学特性(Ⅰ)蓝移和宽化．纳米颗粒膜，特别是Ⅱ—Ⅵ族半导体CdSxSe1-x以及Ⅲ—V族半导体GaAs的颗粒膜都观察到光吸收带边的蓝移和带的宽化现象．(Ⅱ)光的线性(linear)与非线性(nonlinear)．第13页，共25页，星期日，2025年，2月5日(Ⅱ)光的线性与非线性光学线性效应是指介质在光波场(红外、可见、紫外以及X射线)作用下，当光强较弱时，介质的电极化强度与光波电场的一次方成正比的现象．第14页，共25页，星期日，2025年，2月5日(b)电学特性二维膜具有平面的宏观尺寸,不象零维纳米颗粒一样没有宏观的可测量量,与三维纳米块体相比又具有简单性,因此便于研究纳米薄膜电学性质。第15页，共25页，星期日，2025年，2月5日第九章超微粉涂层材料

(Superfinepowdercoatingmaterials)超微粉材料的主要应用是将超微粉材料与表面技术结合起来，形成表面涂层，对基体材料进行改性和赋予基体新的功能。从材料的整体性能出发来追求功能化往往受到限制，所以更多关注的是材料的表面特性。材料表面改性及涂层技术已成为材料科学的一个重要分支。随着陶瓷、高分子和复合材料、新型功能材料的发展