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苏州中晟宏芯信息科技

苏州奧斯

SuzhouAustinBeijingShanghai

TSMC10NLatches/LCBOutlines

NathanNguyen

PowerCoreTechnology,Austin,Texas,USA

Ausgust15,2015

苏州中晟宏芯信息科技苏州

奥斯苏州Austin

TSMC10N锁存器/LCB外形

内森・阮

PowerCoreTechnology，德克萨斯

州奥斯汀2015年8月15日

Attentions

•ThisfileisforonlyatPowerCoreTech

Corp.

•NeverdistributethisfileoutsidePowerCoreTech.

注意事项

•此文件PowerCoreTechCorp.。

•切勿在PowerCoreTech之外分发此文件。

HLD:TechnologyInformationneeded

•Scalefactor(technologyexecutivedecision)

–X/Y/XYscalefactor:Y=n*360nmforH360Xmightbewiderthanin22nm,

goalofXY=40%-50%

–nar_device_to_FINscalefactor1FINFETin10nm=80nmin22nm(initial

decisionfromexecutive)

•VT’smapping:22nmhas4VT’s,tsmc10Nhas3VT’s

•Metalsimage:(technologyexecutivedecision)

–FirstM1ofSTDcell:shouldbefat74nmM1VSShorizontalforH360(M1A:red)

–Pattern/colorsofM1/M2/M3/M4metalimagefromJB/Mark/Wei/Steve

–Powerrailsdefinition/imagestandardcellhasM1powerrail

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