国产4500 V_3000 A双面烧结弹性压接IGBT模块多物理场建模及可靠性分析.pdfVIP

第19卷第8期南方电网技术Vol.19，No.8

2025年8月SOUTHERNPOWERSYSTEMTECHNOLOGYAug.2025

文章编号：1674-0629（2025）08-0107-11中图分类号：TM46文献标志码：A

DOI10.13648/j.cnki.issn1674-0629.2025.08.011

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国产4500V/3000A双面烧结弹性压接IGBT模

块多物理场建模及可靠性分析

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李盈，谭令其，马凯，邢震，赖伟，李辉，熊岩，周月宾，袁智勇

（1.广东电网有限责任公司电力科学研究院，广州510080；2.输变电装备技术全国重点实验室，重庆400044；3.直流

输电技术全国重点实验室，广州510663）

摘要：国产化高压大容量尽缘栅双极晶体管（insulatedgatebipolartransistor，IGBT）器件成为制约我国柔性直流工程经

济性和安全性的关键技术之一。针对国产4500V/3000A双面烧结弹性压接IGBT模块，建立计及纳米银烧结层Anand

本构模型和碟簧机械特性的多物理场模型，并对其进行可靠性分析。首先建立了IGBT模块的多物理场仿真模型并且

验证其有效性；其次，基于IGBT模块MMC实际服役电流应力进行整流工况和逆变工况下各功率器件的损耗计算，并

且对IGBT器件处于逆变工况下的损耗进行热-力仿真分析；最后，根据实际服役应力对国产4500V/3000A双面烧结

弹性压接IGBT模块的集电极烧结层和发射极烧结层进行疲劳分析和寿命预测。仿真结果表明，发射极烧结层在芯片

与发射极钼片所接触的4个边角区域部位寿命最低，双面烧结封装和碟簧的增加有助于提高模块的可靠性。

关键词：双面烧结；弹性压接IGBT；寿命预测；可靠性

Multi‐PhysicalFieldModelingandReliabilityAnalysisofDomestic4500V/

3000ADouble-SidedSinteredElasticCrimpingIGBTModules

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LIYing,TANLingqi,MAKai,XINGZhen,LAIWei,LIHui,XIONGYan,ZHOUYuebin,

3

YUANZhiyong

（1.ElectricPowerResearchInstitute,GuangdongPowerGridCo.,Ltd.,Guangzhou510080,China；2.NationalKey

LaboratoryofPowerTransmissionEquipmentTechnology,Chong