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《热加工工艺》2014年5月第43卷第10期
片由于温度过高而失效。法完成SiC表面金属化，镀前预处理过程包括除油、
粗化、敏化、活化、还原等：
2铝基碳化硅基板制备工艺
(1)除油：采用碱性除油，在10％NaOH溶液中
2．1SiCdAl微观结构加入少量的非离子表面活性剂。将碳化硅颗粒放入
从微观的角度来看．铝基碳化硅复合材料的热其中煮沸30min，用蒸馏水冲洗2～3次，除去碳化
导率、热膨胀系数、比刚度、强度等物理性能都与颗硅颗粒表面的油脂等污物。
粒增强相和金属基之问的复杂界面反应所产生的界(2)粗化：用稀HNO煮沸20min，然后用蒸馏
面结合力有关。其界面结合主要包括以下几种形式：水冲洗2～3次。
(11机械结合：金属基与颗粒增强相之间的机(3)敏化：10g／L的SnC1：-2H20溶液，作用时间
械咬合，如Al基体与不规则SiC颗粒之间类似齿轮为3～5min，而后用蒸馏水洗净。
的相互咬合。(4)活化：0．5g／L的PdC12溶液，作用时间为34
f2)化学结合：金属基与增强相颗粒表面之间5min。
发生电子转移，这种SiC与Al之间的结合方式主要(5)还原：30g／LNaH2PO22HO溶液，作用时间
取决于SiC颗粒与铝合金之间的浸润性能。然而，3min。
SiC与铝之间的浸润角在1000℃时才会小于90。。镀液组成：30g／LNiSO~Izof镀液浓度超过20g／L
(3)反应结合：金属基与增强相颗粒表面发生时镀层沉积速度变化不明显，超过30L时Ni盐容
化学反应生成新相，这个过程一般比较复杂，其中最易析出)与30g／LNaH2PO2H：0(次亚磷酸钠是镀液
常见的就是AlC的反应形成。4A1+3SiC=A14C3+中的主要还原剂)。主络合剂为25g／L的CH3COONa；
3Si，该反应在560℃的温度以上反应剧烈，同时使辅助络合剂10g门L的NaF；稳定剂适量：2mg／L左右
Al熔液中的Si含量增高．Si含量的提高会增强了Al的Pb盐溶液；SiC的浓度为15；将镀液的pH值
熔液的流动性。维持在4．8～5．2．温度85～90℃，不断搅拌的速度
然而，Al4C以不连续的杆状、棱状或盘状晶体为25r／min。
相的形式形成于SiC表面，分别嵌入SiC和基体内；2．3制备工艺分析
再加上AlC是一种脆性化合物，并且有很强的吸目前SiCp／Al主要存在粉末冶金、搅拌熔铸、共
水性，导致复合材料的界面结合力下降，影响其热膨喷沉积、无压渗透与压力渗透五种制备方式，本实验
胀系数、热导率及其他力学性能_5】。采用的制备方法为预制块压力渗透法制备铝基碳化
(4)混合结合：这是一种较复杂的结合方式，实硅基板材料。具体方法是将预处理过的SiC颗粒制
际是界面结合通常由几种方式联合作用。成预制块．然后通过压力加压的方法将熔融的铝液
由于上述叙述中的(1、(4)的结合力产生都是随压人SiC颗粒的缝隙中，以实现IGBT铝基碳化硅
机的．因此要提高SiCdA1的界面结合力，即提高复基板的净成形。
合材料的热导率、同时设计与衬板材料相匹配的热
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