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集成电路设计集成电路器件模型第1页，共40页，星期日，2025年，2月5日第三章集成电路器件模型41235二极管模型双极型晶体管模型MOS晶体管模型JFET模型、MESFET模型无源器件模型6噪声模型*第2页，共40页，星期日，2025年，2月5日器件模型电路中的有源器件用模型描述该器件的特性。器件模型是根据器件的端电压和端电流的关系，利用数学方程、等效电路以及工艺数据拟合等方法来描述器件的功能和性能，是集成电路设计中对器件功能和性能进行模拟验证的重要依据。电路模拟结果是否符合实际情况，主要取决于器件模型是否正确，特别是采用的模型参数是否真正代表实际器件的特性。不同的电路模拟软件中采用的模型不完全相同，模型参数的名称和个数也不尽相同。*第3页，共40页，星期日，2025年，2月5日器件模型越精确，电路模拟效果越好，但是计算量也越大，因此应折衷考虑。对同一种器件，往往提出几种模型。学习中应该掌握模型参数的含义，特别应注意每个模型参数的作用特点，即在不同的电路特性分析中必需考虑哪些模型参数。每个模型参数均有内定值。除了描述基本直流模型的几个参数外，其他模型参数如果采用内定值，相当于不考虑相应的效应。如果采用模拟软件附带的模型参数库，当然不存在任何问题。如果采用模型参数库中未包括的器件，如何比较精确地确定该器件的模型参数将是影响电路模拟结果的关键问题。*第4页，共40页，星期日，2025年，2月5日一、二极管模型集成电路和半导体器件的各类特性都是PN结相互作用的结果，它是微电子器件的基础。通过某种方法使半导体中一部分区域为P型，另一部分区域为N型，则在其交界面就形成了PN结。以PN结构成的二极管最基本的电学行为是具有单向导电性。*第5页，共40页，星期日，2025年，2月5日Cj和Cd分别代表PN结的势垒电容和扩散电容。RS代表从外电极到结的路径上通常是半导体材料的电阻，称之为体电阻。二极管等效电路模型*第6页，共40页，星期日，2025年，2月5日二极管模型参数参数名符号Spice名单位缺省值饱和电流ISISA1.0×10-14发射系数nN-1串联体电阻RSRS?0渡越时间?DTTs0零偏势垒电容Cj0CJ0F0梯度因子mM-0.5PN结内建势垒V0VJV1*第7页，共40页，星期日，2025年，2月5日二、双极晶体管模型SPICE中的双极型晶体管常用两种物理模型，两种模型参数能较好地反映物理本质且易于测量。EM（Ebers-Moll）模型：1954年由J.J.Ebers和J.L.Moll提出。GP（Gummel-Poon）模型：1970年由H．K．Gummel和H．C．Poon提出。*第8页，共40页，星期日，2025年，2月5日双极型晶体管EM模型*第9页，共40页，星期日，2025年，2月5日EM模型将电流增益作为频率的函数来处理，对计算晶体管存贮效应和瞬态特性不方便。改进的EM模型采用电荷控制观点，增加电容到模型中。进一步考虑到发射极、基极和集电极串联电阻，以及集成电路中集电结对衬底的电容，于是得到EM2模型。NPNEM直流模型*第10页，共40页，星期日，2025年，2月5日EM2模型EM大信号模型*第11页，共40页，星期日，2025年，2月5日EM小信号等效电路基区宽度调制效应参数欧拉电压*第12页，共40页，星期日，2025年，2月5日双极型体管GP模型*第13页，共40页，星期日，2025年，2月5日与EM模型相比，GP模型增加以下几个物理效应：小电流时β值下降大注入效应，改善了高电平下的伏安特性基区宽度调制效应：改善了输出电导、电流增益和特征频率，反映了共射极电流放大倍数β随电流和电压的变化发射系数的影响基极电阻随电流变化正向渡越时间τF随集电极电流IC的变化，解决了在大注入条件下由于基区展宽效应使特征频率fT和IC成反比的特性。模型参数和温度的关系。根据横向和纵向双极晶体管的不同，外延层电荷存储引起的准饱和效应。双极型晶体管GP模型*第14页，共40页，星期日，2025年，2月5日GP直流模型*第15页，共40页，星期日，2025年，2月5日GP大信号模型GP大信号模型与EM大信号模型类似，引入修正内容：集电结电容分布特性：划分为两个电容渡越时间随偏置的变化：大电流时τF不再是常数基区中的分布现象*第16页，共40页，星期日，2025年，2月5日GP小信号模型与EM小信号模型十分一致，只是参数的值不同。GP小