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2025年电子工程师考试试题及答案

一、电子技术基础试题

1.简述PN结空间电荷区的形成过程，并分析温度升高对空间电荷区宽度的影响。

答案：PN结由P型和N型半导体接触形成。P区空穴浓度高，N区自由电子浓度高，载流子因浓度差向对方区域扩散。P区空穴扩散到N区后，留下带负电的受主离子；N区自由电子扩散到P区后，留下带正电的施主离子。这些不能移动的正负离子在交界面附近形成空间电荷区（耗尽层）。空间电荷区产生内建电场，方向由N区指向P区，阻碍多子扩散，促进少子漂移。当扩散与漂移达到动态平衡时，空间电荷区宽度稳定。

温度升高时，本征载流子浓度ni增加，P区少子（自由电子）和N区少子（空穴）浓度上升，漂移电流增大。为维持平衡，扩散电流需相应增大，导致更多多子跨越空间电荷区，空间电荷区宽度变窄。

2.电路如图（注：假设电路为：电压源V1=10V串联R1=2kΩ，电压源V2=5V串联R2=3kΩ，两者并联后接节点A，节点A与地之间接R3=5kΩ），用节点电压法求节点A的电压VA。

答案：以地为参考节点，节点A的电压为VA。根据KCL，流入节点A的电流之和为0：

(V1-VA)/R1+(V2-VA)/R2=VA/R3

代入数值：(10-VA)/2+(5-VA)/3=VA/5

通分后：15(10-VA)+10(5-VA)=6VA

150-15VA+50-10VA=6VA→200=31VA→VA≈6.45V

3.设计一个限幅电路，输入正弦波vi=10sin(2π×1000t)V，要求输出正半周限幅在+3V，负半周限幅在-2V，画出电路图并标注元件参数。

答案：采用双向限幅电路，正限幅用3V稳压管D1（正向导通压降0.7V，此处取稳压值3V），负限幅用2V稳压管D2（反向稳压值2V）。电路结构：输入vi串联电阻R（取1kΩ限制电流），并联D1（阳极接地，阴极接输出）和D2（阴极接地，阳极接输出）。输出vo通过电阻R连接到限幅支路。

工作原理：当vi3V时，D1反向击穿，vo被钳位在+3V；当vi-2V时，D2反向击穿，vo被钳位在-2V；中间区域vi在-2V~+3V时，D1、D2截止，vo=vi。

4.共射极放大电路中，VCC=12V，Rb=200kΩ，Re=1kΩ（无旁路电容），Rc=3kΩ，三极管β=100，UBE=0.7V。计算静态工作点（Ibq、Icq、Vceq），并分析若Re并联旁路电容Ce后电压增益的变化。

答案：静态时，基极电流Ibq=(VCC-UBE)/(Rb+(1+β)Re)=(12-0.7)/(200k+101×1k)≈11.3V/301kΩ≈37.5μA

集电极电流Icq=βIbq=100×37.5μA=3.75mA

集射极电压Vceq=VCC-Icq(Rc+Re)=12-3.75mA×(3k+1k)=12-15=-3V（不合理，说明Re应并联旁路电容以减小直流负反馈）。正确电路中Re通常并联Ce，此时直流通路中Re无旁路，Ibq=(VCC-UBE)/Rb=(12-0.7)/200k≈56.5μA（假设Rb直接接基极，无其他偏置电阻），Icq=βIbq=5.65mA，Vceq=VCC-IcqRc=12-5.65mA×3k≈12-16.95=-4.95V（仍不合理，实际应采用分压偏置）。修正为分压偏置：Rb1=40kΩ，Rb2=10kΩ，VCC=12V，则基极电位VB=VCC×Rb2/(Rb1+Rb2)=12×10/50=2.4V，UE=VB-UBE=1.7V，Ieq=UE/Re=1.7V/1k=1.7mA，Icq≈Ieq=1.7mA，Ibq=Icq/β=17μA，Vceq=VCC-Icq(Rc+Re)=12-1.7mA×(3k+1k)=12-6.8=5.2V（合理）。

若Re并联Ce，交流通路中Re被短路，电压增益Av=-β(Rc∥RL)/rbe（rbe=200Ω+(1+β)26mV/Ieq≈200+101×26/1.7≈1740Ω），Av≈-100×3k/1.74k≈-172；无Ce时，Av=-β(Rc∥RL)/(rbe+(1+β)Re)≈-100×3k/(1.74k+101×1k)≈-3（增益显著降低）。

5.比较增强型NMOS和耗尽型NMOS的转移特性曲线，说明Vgs=0时的导电情况。

答案：增强型NMOS的转移特性曲线（ID=f(Vgs)）在VgsVth（阈值电压，正）时ID≈0，VgsVth后ID随Vgs增大而上升；耗尽型NMOS的转移特性曲线在Vgs=0时已有较大ID（耗尽层存在原始导电沟道），V