第三章平面电磁波.pptVIP

媒质Ⅰ中合成磁波瞬时值为驻波媒质Ⅰ中的平均功率流密度矢量为可见，驻波不传输能量，只存在电场能和磁场能的相互转换。第61页，共113页，星期日，2025年，2月5日媒质①中合成电场的相位仅与时间有关，而振幅随z的变化为正弦函数。在处，对于任何时刻，电场为零，称为波节点。在处，任何时刻的电场振幅总是最大，称为波腹点。这就意味着空间各点合成波的相位相同，同时达到最大或最小。平面波在空间没有移动，只是在原处上下波动，具有这种特点的波称为驻波。zO理想导体Ez(z,t)zOt1=0??第62页，共113页，星期日，2025年，2月5日3.4.2对理想介质的垂直入射xzy媒质Ⅱ媒质Ⅰ透射波EtHtEiHi入射波均匀平面波的垂直入射ErrHr反射波设媒质Ⅰ和媒质Ⅱ都是理想介质，即，介电常数和磁导率分别是（、）和（、）。当x方向极化的平面波由媒质Ⅰ向媒质Ⅱ垂直入射时，在边界处既有向z方向传播的透射波，又有向-z方向传播的反射波。第63页，共113页，星期日，2025年，2月5日入射电波折射电波反射电波入射磁波反射磁波折射磁波xzy媒质Ⅱ媒质Ⅰ透射波EtHtEiHi入射波均匀平面波的垂直入射ErrHr反射波第64页，共113页，星期日，2025年，2月5日区域的合场为在z=0处，由分界面的边界条件则反射系数得透射系数且反射波电场复振幅与入射波电场复振幅的比值为反射系数（reflectioncoefficient），用R表示；透射波电场复振幅与入射波电场复振幅的比值为透射系数，用T表示。第65页，共113页，星期日，2025年，2月5日媒质Ⅰ中合成波为在媒质Ⅱ中透射波为则其中第66页，共113页，星期日，2025年，2月5日在处在处电场波节点电场波腹点磁场波腹点磁场波节点第67页，共113页，星期日，2025年，2月5日zO在电场波腹点处，反射波和入射波的电场同相，因而合成场为最大。而在电场波节点处，反射波和入射波的电场反相，从而形成最小值。这些值的位置都不随时间而变化，具有驻波特性。但反射波的振幅比入射波的振幅小，反射波只与入射波的一部分形成驻波，因而电场振幅最小值不为零而最大值也不到，这时既有驻波成分，又有行波成分，故称之为行驻波。第68页，共113页，星期日，2025年，2月5日因为式中第一项是向z方向传播的行波，第二项是驻波。为了反映行驻波状态的驻波成分大小，定义电场振幅的最大值与最小值之比为驻波比（standingwaveratio），用表示。也可以用驻波比表示反射系数第69页，共113页，星期日，2025年，2月5日在媒质Ⅰ中，向z方向传输的功率密度为它等于入射波传输的功率减去反射波向相反方向传输的功率。在媒质Ⅱ中，向z方向透射的功率密度是将反射系数和透射系数的计算公式代入以上两式，可以得出，媒质Ⅰ中向z方向传输的功率等于媒质Ⅱ中向z方向透射的功率，符合能量守恒定律。第70页，共113页，星期日，2025年，2月5日媒质Ⅰ中有双向传播的波同时存在，定义电场复振幅与磁场复振幅之比为等效波阻抗。第71页，共113页，星期日，2025年，2月5日1．半波长夹层如果媒质Ⅰ和媒质Ⅲ相同，媒质Ⅱ厚度d为半波长，电磁波从媒质Ⅰ入射到第一分界面时不产生反射。雷达天线罩的设计用的就是这个原理。2．四分之一波长的敷层在两种不同介质之间加一个的敷层，同时选择敷层的波阻抗为电磁波。在媒质Ⅰ表面上不产生反射波。照相机镜头上就是用这种敷层来消除反射的。3.消除良导体表面的反射几种重要应用第72页，共113页，星期日，2025年，2月5日3.4.3*对多层介质的垂直入射-d0z①②③如左图示，当平面波自媒质①向边界垂直入射时，在媒质①和②之间的第一条边界上发生反射和透射。当透射波到达媒质②和③之间的第二条边界时，再次发生反射与透射，而且此边界上的反射波回到第一条边界时又发生反射及透射。由此可见，在两条边界上发生多次反射与透射现象