第3章 双极型晶体管及其放大电路.pptVIP

对于hoe，还可采用下述方法估算。由于基区调宽效应，当iB一定时，iC随uCE的增大略有上翘。若将每条共射极输出特性曲线向左方延长，都会与uCE负轴相交于一点，其交点折合的电压称为厄尔利电压，用UA表示，如图3–30所示。显然，UA越大，表示基区调宽效应越弱。对于小功率晶体管，UA一般大于100V。由图3–30不难求出在Q点处的hoe，即(3–39)第126页，共191页，星期日，2025年，2月5日图3–30利用厄尔利电压求hoe第127页，共191页，星期日，2025年，2月5日 由于混合π型电路模型与H参数电路模型等价，所以H参数还可以通过混合π型参数确定。输出交流短路和输入交流开路的低频混合π型电路分别如图3–31(a),(b)所示。利用该图并根据式(3–38)每个H参数的意义，可分别求得如下关系：图3–31求H参数用的混合π型电路(a)输出交流短路的混合π型电路第128页，共191页，星期日，2025年，2月5日图3–31求H参数用的混合π型电路(b)输入交流开路的混合π型电路第129页，共191页，星期日，2025年，2月5日(3–40a)(3–40b)(3–40c)(3–40d)第130页，共191页，星期日，2025年，2月5日如果忽略rb′c的影响，则式(3–40)可简化为(3–41a)(3–41b)(3–41c)(3–41d)第131页，共191页，星期日，2025年，2月5日这就是工程分析中实用的H参数。其相应的低频H参数电路模型如图3–32所示。以上导出的两种晶体管交流模型各具特点。通常，在宽带放大器的分析中，采用图3–27(a)混合π型电路模型比较方便；而在低频放大器的分析中，采用图3–32H参数电路模型则相对简单。为了使参数一致，在以后的分析中均采用混合π型电路参数。第132页，共191页，星期日，2025年，2月5日图3–32实用的低频H参数电路模型第133页，共191页，星期日，2025年，2月5日 3–6–2共射极放大器的交流等效电路分析法利用晶体管交流模型分析放大器，可按以下步骤进行。第一步，根据直流通路估算直流工作点；第二步，确定放大器交流通路，用晶体管交流模型替换晶体管得出放大器的交流等效电路；第三步，根据交流等效电路计算放大器的各项交流指标。其中，关于工作点分析已在3–3–3节中作过详细介绍，这里不再讨论。下面将以共射放大器为例，着重讨论放大电路交流性能的分析方法。第134页，共191页，星期日，2025年，2月5日 3–5–2交流图解分析交流图解分析是在输入信号作用下，通过作图来确定放大管各级电流和极间电压的变化量。此时，放大器的交流通路如图3–20(b)所示。由图可知，由于输入电压连同UBEQ一起直接加在发射结上，因此，瞬时工作点将围绕Q点沿输入特性曲线上下移动，从而产生iB的变化，如图3–22(a)所示。瞬时工作点移动的斜率为:(3–25)第94页，共191页，星期日，2025年，2月5日图3–22放大器的交流图解分析(a)输入回路的工作波形；(b)输出回路的工作波形第95页，共191页，星期日，2025年，2月5日图3–22放大器的交流图解分析(a)输入回路的工作波形；(b)输出回路的工作波形第96页，共191页，星期日，2025年，2月5日画出交流负载线之后，根据电流iB的变化规律，可画出对应的iC和uCE的波形。在图3–22(b)中，当输入正弦电压使iB按图示的正弦规律变化时，在一个周期内Q点沿交流负载线在Q1到Q2之间上下移动，从而引起iC和uCE分别围绕ICQ和UCEQ作相应的正弦变化。由图可以看出，两者的变化正好相反，即iC增大，uCE减小；反之，iC减小，则uCE增大。第97页，共191页，星期日，2025年，2月5日根据上述交流图解分析，可以画出在输入正弦电压下，放大管各极电流和极间电压的波形，如图3–23所示。观察这些波形，可以得出以下几点结论： (1)放大器输入交变电压时，晶体管各极电流的方向和极间电压的极性始终不变，只是围绕各自的静态值，按输入信号规律近似呈线性变化。 (2)晶体管各极电流、电压的瞬时波形中，只有交流分量才能反映输入信号的变化，因此，需要放大器输出的是交流量。 (3)将输出与输入的波形对照，可知两者的变化规律正好相反，通常称这种波形关系为反相或倒相。第98页，共191页，星期日，2025年，2月5日图3–23共射极放大器的电压、