碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法.pdfVIP

碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法

1范围

本文件规定了碳化硅（SiC）单晶抛光片堆垛层错的光致发光测试方法。

本文件适用于4H碳化硅（4H-SiC）单晶抛光片堆垛层错的测试。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用

文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包含所有的修改单）

适用于本文件。

GB/T14264半导体材料术语

GB/T25915.1-2021洁净室及相关受控环境第一部分：按粒子浓度划分空气洁净等级

GB/T30656碳化硅单晶抛光片

3术语和定义

GB/T14264和GB/T30656界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1堆垛层错Stakingfault

晶面的叠加序列异常造成的单晶材料中的平面晶体缺陷。

3.2弗兰克型堆垛层错Frank-typeStakingfault

在垂直于堆垛层错平面的方向上发生原子位移的堆垛层错。

3.3肖克利型堆垛层错Shockley-typeStakingfault

在平行于堆垛层错平面的方向上发生原子位移的堆垛层错。

4方法原理

光致发光（PL）检测方法是通过采用波长大于4H-SiC晶体材料禁带宽度对应波长的激发光源(例

如，波长为313nm或355nm)照射SiC单晶抛光片，所得到的PL光信号通过光电倍增管（PMT）转换

成电信号，经过模拟数字转换器（ADC）处理生成数字图像并转换为包含堆垛层错特征的灰度图像。

或PL光信号通过图像传感器（CCD）转化为数字图像，数字图像被处理生成包含堆垛层错特征的灰

度图像。通过软件分析获得晶片堆垛层错的分布和数量。

5干扰因素

5.1光源功率的稳定性会影响仪器对堆垛层错缺陷的信号采集，在图像分析时易出现误判。

1

5.2仪器所处环境有较强震动源会导致光路状态不稳定，影响测试结果的准确性。

5.3碳化硅单晶抛光片表面的抛光状态，如粗糙度过大，会对堆垛层错测试结果产生影响。

5.4碳化硅单晶抛光片表面的洁净状态，如严重的颗粒和表面沾污，会对堆垛层错测试结果产生影

响。

5.5仪器软件参数的设置，如面积阈值和灵敏度阈值，会影响堆垛层错数量及面积占比的统计。

6试验条件

6.1温度：23±3；

℃

6.2环境相对湿度：40%~70%；

6.3空气洁净等级：GB/T25915.1-2021规定的ISO6级及以上；

6.4测试过程中测试机台应无强震动。

7仪器设备

7.1PL成像系统

用于测试4H-SiC单晶抛光片中堆垛层错的PL成像系统结构示意图，见图1。测试设备包括光

源、光学接收器件、滤光器、CCD/PMT、模拟数字转换器、晶片载台、控制/处理器以及暗箱。

标引序号说明：

1—光源；

2—激发光；

3—光致发光；

4—光学接收器件；

5—滤光器；

6CCD/PMT

—；

7—模拟数字转换器

8/

—控制器处理器；

9—晶片载台；

2

10—测试晶片或参考晶片；

11—暗箱或机架外壳。

图1PL成像系统结构示意图

7.2光源

气体放电灯如汞-氙气灯和规定发射波长的二极管激光器可以用作电子激发的典型光源。当气体

放电灯的白光用于电子激发时，应使用适合光源的滤光器来获取具有合适波段的激发光以进行PL

成像。应选择大于4H-SiC晶体材料禁带宽度对应波长的激发光源。例如，汞-氙气灯的313nm发射

光源或二极管激光器的355nm发射光源。

7.3滤光器

根据PL光谱选择满足测试4H-SiC堆垛层错信号的滤光器。使用可通过波长范围为

400nm~550nm或650nm以上的滤光器获得4H-SiC堆垛层错PL信号。

7.4图像采集

堆垛层错图像采集系统由光源、聚焦