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半导体物理第三章习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

简述能带形成的物理机制。在本征硅晶体中，为什么在绝对零度下存在禁带，而在室温下存在少量的导电电子和空穴？

二、

已知硅的禁带宽度E0xE10xB50x8D=1.12eV。计算对应此禁带边缘的、波长为300nm和600nm的光子能量分别是多少？哪种波长的光能被本征硅吸收？

三、

分别简述施主杂质和受主杂质是如何改变半导体材料的能带结构的？它们分别会显著增加哪种载流子（电子或空穴）的浓度？

四、

什么是本征载流子浓度？推导在室温下，本征半导体（以Si为例，可使用Eg和k0xE10xB50xA3等符号表示）的载流子浓度n0xE20x820x99的表达式。假设n0xE20x820x99=p0xE20x820x99=ni，说明此时电子和空穴的“有效状态密度”各有什么特点？

五、

定义半导体的迁移率μ。简述影响半导体中载流子迁移率的主要因素有哪些？并说明其物理原因。

六、

对于一个n型锗（Ge）半导体，室温下其电子浓度N0xE10xB50xA3=2x100x31cm0xE20x820x98，施主能级E0xE10xB50xA3离导带底的能量ΔE0xE10xB50xA3=0.01eV。假设ΔE0xE10xB50xA3kT，其中T=300K，k0xE10xB50xA3=8.617x100x2DeV/K。试估算该n型Ge材料的电子浓度n和电导率σ。锗的电子迁移率μ0xE20x820x99≈3900cm0xE20x820x982/Vs。

七、

描述漂移电流和扩散电流的形成机制。在steadystate（稳定状态）条件下，半导体中漂移电流密度j0xE10xB50x84和扩散电流密度j0xE10xB50xA7的关系如何？请解释原因。

八、

考虑一个p型半导体，其空穴浓度N0xE10xB50x9F=100x32cm0xE20x820x98，受主能级E0xE10xB50x9F离价带顶的能量ΔE0xE10xB50x9F=0.045eV。假设ΔE0xE10xB50x9FkT，T=300K，k0xE10xB50xA3=8.617x100x2DeV/K。估算该p型材料的空穴浓度p。空穴迁移率μ0xE10xB50x9F≈1900cm0xE20x820x982/Vs。

九、

导出在稳态条件下，半导体中电场E和载流子浓度n（或p）之间的关系式（即泊松方程的简化形式）。假设半导体是均匀的，电导率σ不随位置变化，说明在没有外加电压的情况下，半导体内部载流子浓度是否会均匀分布？

十、

简述掺杂浓度对半导体载流子浓度、电导率和电阻率的影响规律。为什么heavilydoped（重掺杂）的半导体在室温下电阻率反而会很低？

试卷答案

一、

物理机制：原子外层电子在晶体周期性势场作用下，其能级发生分裂，形成能带。同一原子能级分裂成许多密集的能级，不同原子的能级分裂叠加，形成延展的能带。当能带间存在能量间隔（禁带）时，电子无法占据，形成禁带。

本征硅中，绝对零度下，价带被电子填满，导带为空，禁带存在。室温下，热激发使得少量电子越过禁带进入导带，形成电子-空穴对。

二、

光子能量E=hc/λ，其中h=6.626x10?3?J·s，c=3x10?m/s。

E?(λ=300nm)=(6.626x10?3?J·s)*(3x10?m/s)/(300x10??m)=6.626x10?1?J=4.14eV。

E?(λ=600nm)=(6.626x10?3?J·s)*(3x10?m/s)/(600x10??m)=3.31x10?1?J=2.07eV。

硅的禁带宽度为1.12eV。因为E?(4.14eV)E0xE10xB50x8D，E?(2.07eV)E0xE10xB50x8D，所以波长为300nm的光能被本征硅吸收。

三、

施主杂质：在半导体晶格中替代一个本征原子，其最外层有5个电子，其中4个与周围原子形成共价键，多余的1个电子受束缚很弱，只需较小的能量即可成为自由移动的电子，它将施主能级E0xE10xB50xA3置于导带底之下。施主能级提供额外的电子，显著增加了导带中的电子浓度。

受主杂质：在半导体晶格中替代一个本征原子，其最外层有3个电子，与周围原子形成共价键时缺少1个电子，形成一个空位（称为受主能级E0xE