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存储行业深度报告
新周期，新机遇2025年11月04日
➢受益AI需求拉动，25Q4存储价格有望持续看涨。由于三大原厂持续有限推荐维持评级
分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产
能，整体DRAM在第四季度有望继续上涨。根据Trendforce预测，预计2025Q4
整体一般型DRAM价格环比增长8-13%。HDD供给短缺与过长交期，使CSP[Table_Author]
将储存需求快速转向QLCeSSD，短期内急单大量涌入，造成市场明显波动，预
计25Q4NANDFlash各类产品合约价将全面上涨，平均涨幅达5-10%。
➢需求侧：“以存代算”带来存储新需求。AI时代，内容由文本向图像、歌曲、
视频和多语言视频跃迁，数据量从MB级迅速扩张至EB/ZB级，Sora2等视频
生成应用进一步加速增长。AI使得海量“冷数据”被频繁调用转为“温/热数据”，
推动存储从HDD转向SSD/DRAM。HDD供给受限、交期的延长，也加速了分析师方竞
SSD替代HDD。此外，推理端“以存代算”成为核心：Prompt经Prefill转化执业证书：S0100521120004
为结构化的KVCache与RAG向量，支撑高并发、低延迟的Decode，驱动存邮箱：fangjing@
分析师李萌
储体系向HBM/DRAM+CXL+SSD的分层演进，实现更高吞吐与能效优化。执业证书：S0100522080001
➢供给侧：CBA+HBF工艺创新打破内存墙制约。为打破“内存墙”对算力发邮箱：lmeng@
展的制约，CBA+HBF应运而生，成为存储IDM未来发展的核心方向。CBA技
术显著提升了单位面积的存储密度，同时优化了内部互连路径，已在DRAM、相关研究
NAND下一代技术升级中全面应用。同时国产龙头厂商（合肥长鑫、长江存储）1.电子行业动态：Scaleup助推交换芯片增
长-2025/11/03
也在加紧追赶脚步。HBF则是借鉴了HBM的封装设计，但用闪存替换了部分
2.电子行业点评：上游材料缺货，关注封装基
DRAM堆栈。相比HBM，HBF具备8-16倍的存储容量和非易失性存储的优
板投资机遇-2025/10/28
势，能够显著缓解AI数据中心在热管理和能源成本上的压力。3.半导体行业专题：空白掩模版：光刻工艺核
➢设备：受益存储上行周期Capex提升。受益于AI需求的拉动、存储涨价的心原料，国产化亟待突破-2025/10/10
持续，存储行业或持续面临供需偏紧状态，原厂有望提高资本开支以满足持续增4.电子行业点评：美或扩大限制范围，国产设
备有望受益-2025/10/10
长的存储需求，半导体设备有望受益。根据SEMI预测，2025/2026年全球
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