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硅碳化物材料半导体器件技术分析
目录
一、文档概要．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
1.1研究背景与意义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3
1.2硅化碳化基半导体领域发展历程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．7
1.3CC材料半导体器件技术研究现状．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．8
1.4本报告核心内容及结构安排．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12
二、硅化碳化物物理基础．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．12
2.1CC材料的晶体结构与固有特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．14
2.2CC材料的电子能带结构解析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．17
2.3CC材料的热学、力学及化学属性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．18
2.4不同制备工艺对材料品质的影响．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．22
三、硅化碳化物半导体器件类型．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．26
3.1复合碳化硅功率开关器件．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．28
3.1.1MOSFET器件结构设计与原理．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．30
3.1.2双极结型晶体管实现方式．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．31
3.1.3混合结构器件方案探讨．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．34
3.2射频应用中的碳化硅微波器件．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．36
3.2.1高功率微波晶体管设计．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．38
3.2.2高频电控可变器件研究．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．40
四、硅化碳化物器件制备关键工艺．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．42
4.1高纯度?ringsivfallsil?vyIC材质生长技术．．．．．．．．．．．．．．．48
4.2表面钝化与缺陷钝化策略．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．49
4.3异质结形成与优化方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．57
4.4高温高压器件构建工艺细节．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．59
4.5微纳加工与散热结构集成技术．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．62
五、关键性能指标分析与对比．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．63
5.1功率密度与效率性能评估．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．64
5.2开关速度与频率响应测试．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．67
5.3开关损耗与导通损耗量化分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．68
5.4高温工作稳定性及其挑战分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．71
5.5与传统硅基器件的性能对比长处与短板．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．73
六、硅化碳化物器件应用领域探析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．74
6.1高压电力转换系统应用．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．76
6.2汽车工业用功率电子市场前景．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．79
6.3航空航天及高端轨道交通领域需求．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．83
6.4现代无线通信与雷达系统应用潜力．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．85
七、技术面临的挑战与未来发展趋势．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．89
7.1成本控制与量产规模化难题．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．91
7.2材料内部结构缺陷的抑制途径．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．92
7.3器件可靠性与长期运行效应评估．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．96
7.4新型制备技术突破方向．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．97
7.5CC材料半导体器件发展前景展望．．．．
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