2025年考研工学微电子学强化试卷（含答案）.docxVIP

2025年考研工学微电子学强化试卷（含答案）

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、填空题（每空2分，共20分）

1.本征硅在室温下，In和Eg的值分别为______eV，导带底和价带顶的有效态密度分别为______cm?3。

2.P-N结外加正向电压时，耗尽层宽度______，内建电场强度______。

3.MOSFET工作时，SiO?绝缘层中的电场主要是由______产生的，它能够使半导体中的载流子______。

4.对于增强型NMOSFET，当gate-source电压Vgs小于阈值电压Vth时，其输出特性曲线位于______区域；当Vgs大于Vth且drain-source电压Vds较小（小于(Vgs-Vth)2/2μnCox）时，其处于______状态。

5.在CMOS反相器中，当输入高电平时，PMOS管处于______状态，NMOS管处于______状态。

6.半导体器件制造过程中，用于去除不需要的图形的工艺是______，它可以在多种材料上实施。

7.扩散工艺是通过高温使杂质原子在半导体晶体中______，从而改变其导电性能。

8.离子注入工艺是将带电的离子束入射到半导体晶圆表面，通过控制注入的能量和剂量来精确______半导体材料的电学特性。

9.多晶硅通常用作集成电路中的______层，因为它具有良好的导电性和可重复沉积性。

10.光刻工艺中，将图形从掩模版转移到光刻胶上的过程称为______。

二、选择题（每题2分，共20分，请将正确选项的字母填入括号内）

1.下列哪一项不是半导体物理中的能带结构？（）

A.导带

B.价带

C.晶格振动模式（声子）

D.禁带宽度

2.当P型半导体的掺杂浓度远高于N型半导体的掺杂浓度时，形成的P-N结在平衡状态下，内建电场主要指向？（）

A.P区指向N区

B.N区指向P区

C.电场为零

D.电场方向随机

3.对于增强型NMOSFET，其阈值电压Vth主要取决于？（）

A.沟道长度L和沟道宽度W

B.半导体材料的类型和掺杂浓度

C.SiO?的厚度和介电常数

D.以上都是

4.MOSFET的跨导gm主要反映了？（）

A.输出电阻

B.输入电容

C.输入电压变化引起输出电流变化的敏感度

D.器件的开关速度

5.在CMOS反相器中，静态功耗主要来源于？（）

A.输出高电平时，PMOS管的导通电流

B.输出低电平时，NMOS管的导通电流

C.两个MOS管同时导通的区域（虽然理论上为零，但实际有漏电流）

D.电源电压和输出电流的乘积

6.以下哪种工艺不属于标准的CMOS集成电路制造流程？（）

A.光刻

B.扩散

C.外延生长

D.封装

7.在集成电路制造中，刻蚀工艺的主要目的是？（）

A.在半导体中引入杂质

B.沉积新的材料层

C.去除不需要的材料，形成特定图形

D.掺杂多晶硅

8.差分放大器的主要优点之一是？（）

A.具有很高的输出阻抗

B.对共模信号具有抑制作用，对差模信号放大效果好

C.静态功耗低

D.电路结构简单

9.下列哪种材料通常用作MOSFET的栅极绝缘层？（）

A.Si

B.SiO?

C.GaAs

D.Al?O?

10.集成电路制造过程中，掩模版的主要作用是？（）

A.提供光刻胶

B.定义芯片上器件和互连的图形

C.产生离子束

D.沉积薄膜

三、简答题（每题5分，共20分）

1.简述半导体中载流子漂移和扩散的区别。

2.说明P-N结在反向偏置下的工作原理及其主要特性。

3.简述MOSFET从关断状态到导通状态，Vgs和Id之间的关系变化过程。

4.简述光刻工艺中，从图形制备到最终转移到晶圆上的主要步骤。

四、计算题（每题10分，共30分）

1.一个N型MOSFET，其沟道长度L=10μm，沟道宽度W=50μm，半导体材料的参数为：μn=450cm2/V·s，Cox=10fF/μm2，Vth=0.4V。假设SiO?厚度为300nm，忽略早期效应。计算当Vgs=1.0V，Vds=0.5V时，该MOSFET的导通电流Id（假设工作在平方律区）。

2.一个简单的共源放大器，其MOSFET参数与题