第3章 场效应管及其基本.pptVIP

对于混合偏置方式，栅源回路直流负载线方程为(3–23)画出该负载线如图3–15(b)所示，对于三种不同类型的场效应管的工作点分别为Q′1、Q′2及Q3。这里要特别注意的是，对JFET，RG2过大，或RS太小，都会导致工作点不合适，如图3–15(b)虚线所示。第62页，共91页，星期日，2025年，2月5日二、解析法已知电流方式及栅源直流负载线方程，联立求解即可求得工作点。例如：(3–24a)(3–24b)将式(3–24b)代入式(3–24a)，解一个iD的二次方程，有两个根，舍去不合理的一个根，留下合理的一个根便是IDQ。第63页，共91页，星期日，2025年，2月5日3–4–2场效应管放大器分析与晶体管放大器相似，场效应管放大器也有共源、共漏、共栅等三种基本组态电路。一、共源放大器共源放大器电路如图3–16(a)所示，其低频小信号等效电路如图3–16(b)所示。由图(b)可知，放大器输出交流电压为(3–25)第64页，共91页，星期日，2025年，2月5日图3–8输出特性(a)输出特性；(b)厄尔利电压第30页，共91页，星期日，2025年，2月5日图3–8输出特性(a)输出特性；(b)厄尔利电压第31页，共91页，星期日，2025年，2月5日(2)恒流区：·曲线间隔均匀，uGS对iD控制能力强。·uDS对iD的控制能力弱，曲线平坦。·进入恒流区的条件，即预夹断条件为(3–5)第32页，共91页，星期日，2025年，2月5日因为UGD=UGS-UDS，当UDS增大，使UGDUGSth时，靠近漏极的沟道被首先夹断(如图3–9所示)。此后，UDS再增大，电压的大部分将降落在夹断区(此处电阻大)，而对沟道的横向电场影响不大，沟道也从此基本恒定下来。所以随UDS的增大，iD增大很小，曲线从此进入恒流区。?第33页，共91页，星期日，2025年，2月5日图3–9uDS增大，沟道被局部夹断(预夹断)情况第34页，共91页，星期日，2025年，2月5日沟道调制系数λ。不同UGS对应的恒流区输出特性延长会交于一点(见图3--8(b))，该点电压称为厄尔利电压UA。定义沟道调制系数来表达uDS对沟道及电流iD的影响。显然，曲线越平坦，|UA|越大，λ越小。(3–6)第35页，共91页，星期日，2025年，2月5日考虑uDS对iD微弱影响后的恒流区电流方程为但由于λ1，沟道调制效应可忽略，则(3)可变电阻区：可变电阻区的电流方程为(3–8)(3–7b)(3–7a)第36页，共91页，星期日，2025年，2月5日可见，当uDS(uGS-UGSth)时(即预夹断前)那么，可变电阻区的输出电阻rDS为式(3–10)表明，uGS越大，rDS越小，体现了可变电阻(3–10)(3–9)第37页，共91页，星期日，2025年，2月5日3–2–3N沟道耗尽型MOSFET(DepletionNMOSFET)?增强型N沟道MOSFET在uGS=0时，管内没有导电沟道。而耗尽型则不同，它在uGS=0时就存在导电沟道。因为这种器件在制造过程中，在栅极下面的SiO2绝缘层中掺入了大量碱金属正离子(如Na++或K++)，形成许多正电中心。这些正电中心的作用如同加正栅压一样，在P型衬底表面产生垂直于衬底的自建电场，排斥空穴，吸引电子，从而形成表面导电沟道，称为原始导电沟道。第38页，共91页，星期日，2025年，2月5日由于uGS=0时就存在原始沟道，所以只要此时uDS0，就有漏极电流。如果uGS0,指向衬底的电场加强，沟道变宽，漏极电流iD将会增大。反之，若uGS0，则栅压产生的电场与正离子产生的自建电场方向相反，总电场减弱，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当uGS继续变负，等于某一阈值电压时，沟道将全部消失，iD=0，管子进入截止状态。综上所述，N沟道耗尽型MOSFET的转移特性和输出特性以及表示符号如图3–10(a),(b),(c)所示。