数字电子技术课件第六章半导体存储器及可编程逻辑器件.pptxVIP

第六章半导体存储器;;;;①地址译码器的作用将输入的地址代码译成相应的控制信号，;;;;;;;;1、UVEPROM(紫外光可擦除可编程ROM）;叠栅MOS管结构－EPROM(光擦除可编程ROM)存储单元;;2、E2PROM;读出、写入、擦除方法见有关资料;;3、快闪存储器

快闪存储器既吸收了EPROM结构简单、编程可

靠的优点，又保留了E2PROM用隧道效应擦除

的快捷特性，而且集成度可以做得很高。;;;;EEPROM2864;;;;;;;;;SRAM6116（见P130-P131）;二、动态随机存储器（DRAM）;;;;存储单元特点比较：;;;;四、步骤：

1、根据输入变量数和输出端个数确定存储器的

类型；

2、将函数化为最小项之和的形式（列出函数的

真值表）；

3、列出函数的数据表；

4、画出相应的电路的结点图（编程写入数据）。;举例;;;;;;;PLD的三态输出缓冲图;;PROM的基本结构;;三、PAL的五种输出电路结构;2)可编程输入/输出结构;3)寄存器输出结构;四、PAL的应用;五、PAL器件使用时的优缺点

?PAL选定芯片型号后，其输出结构就选定；

?PAL有20多种不同的型号可供用户使用；

?PAL器件的出现为数字电路的研制工作和小批量产品

的生产提供了很大的方便；

?PAL采用的是双极型熔丝工艺，只能一次性编程；

?PAL输出方式是固定的，不能重新组态，因而编程灵

活性较差。;;二、GAL的电路结构;1、常用的GAL器件有GAL16V8和GAL22V10两种系列，它

们的结构基本相同；

2、GAL16V8有一个32*64位的可编程与逻辑阵列；

3、GAL16V8有8个输出逻辑宏单元(OLMC)；

4、10个输入缓冲器，8个三态输出缓冲器和8个反馈/输

入缓冲器；

5、32列表示有16个输入变量，64行表示有64个乘积项，

共有2048个可编程点；

6、组成“或”逻辑阵列的8个或门分别包含于8个OLMC

中，每一个OLMC固定连接8个乘积项，不可编程。;三、GAL的输出逻辑宏单元（OLMC）;1、OLMC中的或门完成或操作，有8个输入端，;四、OLMC的五种工作模式;1）SYN=1，AC0=0，AC1(n)=1时，OLMC（n）的电路结

构为专用输入模式，是组合逻辑电路。此时，引脚1

和11可作普通数据输入端使用，输出三态缓冲器为禁

止态而使相应的I/O端不能作输出只能作输入端使用，

并且该输入信号需经邻级OLMC的FMUX反馈回“与”逻

辑阵列输入。需要注意的是，??GAL16V8的结构图可

见，OLMC（15）和OLMC（16）因无FMUX相连，故不能

作专用输入模式，即101模式。;2）SYN=1，AC（0）=0，AC1(n)=0时，OLMC（n）的电

路结构为专用组合输出模式，是组合逻辑电路。此时，

引脚1和11可作普通数据输入端使用，输出三态缓冲

器处于工作状态，输出始终允许，异或门的输出经

OMUX送到三态缓冲器。因为三态缓冲器是一个反相器，

所以XOR（n)=0时输出的组合逻辑函数为低电平有效，

当XOR（n)=1时为高电平有效。当相邻OLMC的AC1（m)

也为0时，FMUX接地，没有反馈信号，相应的I/O端只

能作纯组合输出而不能作反馈输入使用。;;;;;;六、其他类型的可编程逻辑器件

1）EPLD和CPLD是从PAL、GAL发展起来的阵列型高密度

PLD器件，它们大多数采用了CMOSEPROM、E2PROM和快

速闪存储器等编程技术，具有高密度、高速度和低功耗

等特点。它们至少包含三种结构：可编程逻辑宏单元、

可编程I/O单元、可编程内部连线。;2）FPGA结构与阵列型可编程逻辑器件不同，其结构

类似于掩膜可编程门阵列（MPGA）,它有许多独立的

可编程逻辑模块组成，用户可以通过编程将这些模

块连接起来实现不同的设计。FPGA兼容了MPGA和阵

列型PLD两者的优点，因而具有更高的集成度、更强

的逻辑实现能力和更好的设计灵活性。

3）在系统可编程器件（ISP-PLD）是支持ISP技术的

可编程逻辑器件，ISP技术是指对器件、电路板或整

个电子系统的逻辑功能可随时进行修改或重构的能

力，是一种先进的编程技术。ISP-PLD可以摆脱编程

器，只需要通过计算机接口和编程电缆，直接在目

标系统或印刷线路板上进行编程，使用起来更加方

便和灵活。;;