第1讲半导体器件.pptVIP

第1页，共38页，星期日，2025年，2月5日10.1.1本征半导体现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。Si硅原子Ge锗原子§10.1半导体的基本知识第2页，共38页，星期日，2025年，2月5日硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4+4+4+4+4表示除去价电子后的原子完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。本征半导体的导电能力很弱。第3页，共38页，星期日，2025年，2月5日10.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。N型半导体（主要载流子为电子，电子半导体）P型半导体（主要载流子为空穴，空穴半导体）第4页，共38页，星期日，2025年，2月5日N型半导体多余电子磷原子硅原子+N型硅表示SiPSiSi硅或锗+少量磷?N型半导体第5页，共38页，星期日，2025年，2月5日空穴P型半导体硼原子P型硅表示SiSiSiB硅原子空穴被认为带一个单位的正电荷，并且可以移动硅或锗+少量硼?P型半导体第6页，共38页，星期日，2025年，2月5日杂质半导体的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半导体++++++++++++++++++++++++N型半导体第7页，共38页，星期日，2025年，2月5日10.2.1PN结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。§10.2PN结及半导体二极管第8页，共38页，星期日，2025年，2月5日P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场E漂移运动空间电荷区PN结处载流子的运动第9页，共38页，星期日，2025年，2月5日扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。第10页，共38页，星期日，2025年，2月5日漂移运动P型半导体－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半导体++++++++++++++++++++++++扩散运动内电场EPN结处载流子的运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。第11页，共38页，星期日，2025年，2月5日10.2.2PN结的单向导电性PN结加上正向电压、正向偏置的意思都是：P区加正、N区加负电压。PN结加上反向电压、反向偏置的意思都是：P区加负、N区加正电压。第12页，共38页，星期日，2025年，2月5日PN结正向偏置－－－－++++内电场减弱，使扩散加强，扩散?飘移，正向电流大空间电荷区变薄PN+_正向电流第13页，共38页，星期日，2025年，2月5日PN结反向偏置－－－－++++空间电荷区变厚NP+_++++－－－－内电场加强，使扩散停止，有少量飘移，反向电流很小反向饱和电流很小，?A级第14页，共38页，星期日，2025年，2月5日10.2.3半导体二极管(1)、基本结构PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。PNPN符号阳极阴极第15页，共38页，星期日，2025年，2月5日(2)、伏安特性UI导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压U(BR)死区电压硅管0.5V,锗管0.2V。UIE+-反向漏电流（很小，?A级）第16页，共38页，星期日，2025年，2月5日（3）静态电阻Rd，动态电阻rDUQIQUS+-R静态工作点Q（UQ，IQ）第17页，共38页，星期日，2025年，2月5日（3）静态电阻Rd，动态电阻r