第01章_晶体二极管(已修改).pptVIP

因为T??载流子运动的平均自由路程??V(BR)?。击穿电压的温度特性雪崩击穿电压具有正温度系数。齐纳击穿电压具有负温度系数。因为T??价电子获得的能量??V(BR)?。稳压二极管VZID(mA)V(V)IZminIZmax+-VZ利用PN结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。要求：IzminIzIzmax第29页，共57页，星期日，2025年，2月5日稳压二极管UZID(mA)U(V)IZminIZmax+-VZ利用PN结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。要求：IzminIzIzmax稳压二极管的主要参数1、稳定电压UZ:在反向击穿区时的稳定工作电压，UZ是根据要求挑选稳压管的主要依据之一。2、稳定电流IZ:是使稳压管正常工作时的参考电流，一般说来工作电流较大时稳压性能较好。3、动态内阻rZ:rZ＝ΔU/ΔI，其值越小越好。4、额定功耗PZ:PZ＝UZIZM第30页，共57页，星期日，2025年，2月5日使用稳压管组成电路时需注意的几个问题：某原因VO??IZ???I?限流电阻R：保证稳压管工作在Izmin~Izmax之间稳压原理：VO??VR?VO=VZ输出电压：D+-+-RRLILVIVOIZI1、应该给稳压管加反偏电压，以保证工作于反向击穿区2、稳压管应与负载电阻并联以使输出电压稳定。3、必须限制流过稳压管的电流IZ，使其不超过规定值，以免因过热而烧坏管子。第31页，共57页，星期日，2025年，2月5日1.2.4PN结的电容特性势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。势垒电容CT扩散电容CD阻挡层外（P区和N区）贮存的非平衡电荷量,随外加电压变化产生的电容效应。CT(0)CTV0xn少子浓度x0-xpP+N第32页，共57页，星期日，2025年，2月5日PN结电容PN结反偏时，CTCD，则Cj≈CTPN结总电容：Cj=CT+CDPN结正偏时，CDCT，则Cj≈CD故：PN结正偏时，以CD为主。故：PN结反偏时，以CT为主。通常：CD≈几十PF~几千PF。通常：CT≈几PF~几十PF。第33页，共57页，星期日，2025年，2月5日1.3晶体二极管电路分析方法晶体二极管的内部结构就是一个PN结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型：适于任一工作状态的通用曲线模型便于计算机辅助分析的数学模型直流简化电路模型交流小信号电路模型电路分析时采用的第34页，共57页，星期日，2025年，2月5日数学模型—伏安特性方程式理想模型：修正模型：rS—体电阻+引线接触电阻+引线电阻其中：n—非理想化因子I正常时:n?1I过小或过大时:n?2注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面漏电流的影响，实际IS??理想IS。1.3.1晶体二极管的模型第35页，共57页，星期日，2025年，2月5日曲线模型—伏安特性曲线V(BR)I(mA)V(V)VD(on)-IS当VVD(on)时二极管导通当VVD(on)时二极管截止当反向电压V?V(BR)时二极管击穿晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。第36页，共57页，星期日，2025年，2月5日简化电路模型折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中，实际二极管的伏安特性。IVVD(on)IV0abIVVD(on)abVD(on)RDD+-理想状态：与外电路相比，VD(on)和RD均可忽略时，二极管的伏安特性和电路符号。开关状态：与外电路相比，RD可忽略时的伏安特性。简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。第37页，共57页，星期日，2025年，2月5日小信号电路模型：为二极管增量结电阻。（室温）：PN结串联电阻，数值很小。Cj：PN结结电容，由CD和CT两部分构成。注意：高频电路中，需考虑Cj影响。因高频工作时，Cj容抗很小，PN结单向导电性会因Cj的交流旁路作用而变差。IVQrsrjCj第38页，共57页，星期日，2025年，2月5日图解法分析二极管电路主要采用：图解法、简化分析法、小信