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2025年电力电子试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下全控型电力电子器件中，驱动功率最小的是（）

A.IGBTB.MOSFETC.GTOD.IGCT

答案：B

2.电压型逆变器（VSI）的直流侧滤波元件为（）

A.大电感B.大电容C.小电感D.小电容

答案：B

3.单相桥式全控整流电路带电阻负载时，晶闸管的最大反向电压为（）（设输入电压有效值为U2）

A.√2U2B.2√2U2C.√2U2/2D.2U2

答案：B

4.采用SPWM控制的逆变器中，若载波比N=101（N为奇数），则输出电压中最低次谐波的次数为（）

A.100B.101C.102D.99

答案：A

5.Boost变换器工作于电感电流连续模式（CCM）时，输出电压Uo与输入电压Ui的关系为（）（D为占空比）

A.Uo=Ui/(1-D)B.Uo=Ui×DC.Uo=Ui/(D)D.Uo=Ui×(1-D)

答案：A

6.硬开关变换器中，开关损耗主要产生于（）

A.开通瞬间电压不为零、电流为零B.关断瞬间电压为零、电流不为零

C.开通瞬间电压不为零、电流上升D.关断瞬间电压为零、电流下降

答案：C

7.三相桥式全控整流电路带阻感负载且α=30°时，晶闸管的导通角为（）

A.60°B.90°C.120°D.150°

答案：C

8.以下不属于软开关技术的是（）

A.ZVS（零电压开关）B.ZCS（零电流开关）

C.PWM硬开关D.谐振软开关

答案：C

9.功率因数校正（PFC）电路的主要作用是（）

A.提高输入电流的谐波含量B.使输入电流与电压同相位

C.降低输出电压纹波D.减小开关频率

答案：B

10.碳化硅（SiC）MOSFET相较于硅基IGBT的优势不包括（）

A.更高的开关频率B.更低的导通损耗

C.更耐高温D.更低的制造成本

答案：D

二、填空题（每空2分，共20分）

1.晶闸管（SCR）的三个电极是阳极、阴极和______。

答案：门极

2.逆变电路按直流侧电源性质可分为电压型逆变电路和______型逆变电路。

答案：电流

3.单相半波可控整流电路带电阻负载时，晶闸管的移相范围为______。

答案：0°~180°

4.直流斩波电路中，Buck变换器的输出电压______（填“大于”“小于”或“等于”）输入电压。

答案：小于

5.SPWM控制中，载波为三角波，调制波为______波。

答案：正弦

6.软开关技术通过引入______元件（如电感、电容），使开关器件在零电压或零电流条件下导通或关断。

答案：谐振

7.三相半波可控整流电路带电阻负载时，触发脉冲的相位间隔为______。

答案：120°

8.双向DC-DC变换器可实现能量的______传输（填“单向”或“双向”）。

答案：双向

9.电力电子器件的驱动电路需满足两个基本要求：提供足够的驱动功率和______。

答案：电气隔离（或“抗干扰能力”）

10.有源电力滤波器（APF）通过向电网注入与______大小相等、相位相反的电流，实现谐波补偿。

答案：谐波电流

三、简答题（每题8分，共40分）

1.比较半桥型逆变器与全桥型逆变器的优缺点。

答案：

半桥型逆变器的优点：仅需2个开关管，结构简单，成本低；直流侧电容分压，开关管承受电压为输入电压的一半，对器件耐压要求低。缺点：输出电压幅值为输入电压的一半（全桥为输入电压），相同功率下电流更大；需要严格控制两个电容的电压平衡，否则会导致中性点偏移，影响输出波形。

全桥型逆变器的优点：输出电压幅值高（等于输入电压），相同功率下电流小，损耗低；无需电容分压，不存在中性点偏移问题；可通过调整桥臂驱动信号实现更灵活的输出控制（如双极性SPWM）。缺点：需要4个开关管，成本较高；开关管承受电压为输入电压，对器件耐压要求更高。

2.分析硬开关变换器中开关损耗的主要来源，并说明软开关技术的改进原理。

答案：

硬开关损耗主要来源：（1）开通损耗：开关管导通时，其两端电压未降至零，电流上升，导致瞬时功率（电压×电流）产生损耗；（2）关断损耗：开关管关断时，电流未降至零，电压上升，同样产生瞬时功率损耗；（3）二极管反向恢复损耗：续流二极管在关断时因载流子存储效应产生反向恢复电