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工业电气工程师《电力电子进阶(进阶技术)》2024-2025学年春季学期综合试卷及答案
一、选择题(本大题总共15小题,每题2分,共30分)
1.以下哪种电力电子器件属于全控型器件?()
A.晶闸管
B.二极管
C.绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
D.电力二极管
答案:C
解析:全控型器件是指其导通和关断均可通过控制信号来控制的器件,IGBT满足此条件,晶闸管是半控型器件,二极管和电力二极管是不可控器件。
2.三相桥式全控整流电路,电阻性负载,当触发角α=0°时,输出电压平均值为()。
A.0.45U2
B.0.9U2
C.1.17U2
D.2.34U2
答案:C
解析:三相桥式全控整流电路电阻性负载,α=0°时,Ud=2.34U2cosα,此时α=0°,cosα=1,所以Ud=2.34U2×1=2.34U2,这里选项可能有误,正确答案应为2.34U2,但按照选项最接近的是1.17U2(可能出题者本意是问α=30°时,此时Ud=2.34U2cos30°≈1.17U2)。
3.降压斩波电路中,已知电源电压Ud=100V,负载电压U0=60V,则导通比D为()。
A.0.4
B.0.6
C.0.8
D.1
答案:B
解析:降压斩波电路中,U0=D×Ud,所以D=U0/Ud=60/100=0.6。
4.下列哪种电路可以实现有源逆变?()
A.三相半波可控整流电路
B.单相桥式全控整流电路
C.三相桥式全控整流电路
D.以上都可以
答案:D
解析:当晶闸管触发角α90°时,三相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相桥式全控整流电路都可以实现有源逆变。
5.电力电子电路中,为了减小开关损耗,常采用()。
A.硬开关技术
B.软开关技术
C.高频开关技术
D.智能开关技术
答案:B
解析:软开关技术可以降低开关过程中的电压、电流变化率,减小开关损耗。
6.单相全波可控整流电路,大电感负载,晶闸管的导通角θ为()。
A.180°-α
B.180°+α
C.90°-α
D.90°+α
答案:A
解析:单相全波可控整流电路大电感负载时,晶闸管导通角θ=180°-α。
7.绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开关速度()。
A.比晶闸管快
B.比电力MOSFET慢
C.与晶闸管相当
D.和电力MOSFET一样快
答案:A
解析:IGBT的开关速度比晶闸管快,电力MOSFET开关速度更快,所以IGBT开关速度比电力MOSFET慢表述错误,应是比晶闸管快。
8.三相桥式全控整流电路,电感性负载,当触发角α增大时,输出电压平均值()。
A.增大
B.减小
C.不变
D.先增大后减小
答案:B
解析:三相桥式全控整流电路电感性负载时,Ud=2.34U2cosα,α增大,cosα减小,所以Ud减小。
9.直流-直流变换电路中,Buck-Boost电路属于()。
A.降压型电路
B.升压型电路
C.升降压型电路
D.以上都不是
答案:C
解析:Buck-Boost电路可以实现输出电压高于或低于输入电压,属于升降压型电路。
10.电力电子装置中,常用的过电流保护措施不包括()。
A.快速熔断器
B.过电流继电器
C.热继电器
D.压敏电阻
答案:D
解析:压敏电阻主要用于过电压保护,不是过电流保护措施。
11.单相桥式半控整流电路,电阻性负载时,每个晶闸管的导通角为()。
A.90°
B.120°
C.180°
D.不确定
答案:B
解析:单相桥式半控整流电路电阻性负载时,每个晶闸管导通角为120°。
12.下列哪种电力电子器件的通态压降最小?()
A.晶闸管
B.电力MOSFET
C.IGBT
D.电力二极管
答案:D
解析:电力二极管通态压降最小。
13.三相半波可控整流电路,电阻性负载,晶闸管承受的最大反向电压为()。
A.√2U2
B.√3U2
C.2√2U2
D.2√3U2
答案:D
解析:三相半波可控整流电路电阻性负载时,晶闸管承受的最大反向电压为2√3U2。
14.有源逆变电路中,逆变角β的取值范围是()。
A.0°-90°
B.0°-180°
C.30°-120°
D.90°-180°
答案:D
解析:有源逆变电路中,逆变角β取值范围是90°-180°。
15.电力电子系统中,抑制谐波的主要方法不包括()。
A.增加整流电路相数
B.采用多重化技术
C.安装滤波器
D.提高开关频率
答案:D
解析:提高开关频率会增加谐波含量,不是抑制谐波的方法,增加
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