第四章晶体管的频率特性与功率特性.pptVIP

实际晶体管中，集电极的输出阻抗除集电结势垒电容外，还存在延伸电极电容和管壳寄生电容等，用Cc表示集电极的总输出电容。第30页，共60页，星期日，2025年，2月5日最佳功率增益GPm=1时的频率，它是晶体管真正具有功率放大能力的频率限制。最高振荡频率最高振荡频率表达式第31页，共60页，星期日，2025年，2月5日频带宽度高频优值（增益-带宽乘积）表达式高频优值全面地反映了晶体管的功率和频率性能，而且只与晶体管本身的参数有关，因此高频优值是设计和制造高频功率晶体管的重要依据之一。第32页，共60页，星期日，2025年，2月5日4.4晶体管的大电流特性较大功率的晶体管需要工作在高耐压和大电流条件下。而在大电流区域，晶体管的直流和交流特性都会发生明显变化，电流增益和特征频率等参数都会随着集电极电流增大而迅速下降，从而使集电极最大工作电流受到了限制。第33页，共60页，星期日，2025年，2月5日集电极最大电流IcM共发射极直流短路电流放大系数β下降到其最大值βM的一半时所对应的集电极电流。第34页，共60页，星期日，2025年，2月5日以共发射极运用为例，如何根据电源电压Vcc和输出功率PO的要求来确定IcM。IcM的数值由输出功率PO和电源电压Vcc决定。要提高晶体管的输出功率就必须提高IcM。第35页，共60页，星期日，2025年，2月5日大电流工作时产生的三个效应通过晶体管的电流是电流密度和结面积的乘积，可见要增大电流有两种方法：增大结面积和增加电流密度。增大结面积的方法并不可取，（结面积的增大会导致成品率的降低，并会增大结电容而使晶体管的高频性能变差）。然而，电流密度的增加会导致电流放大系数、特征频率和基极电阻的下降。以下定性分析大电流密度时产生的三个效应。第36页，共60页，星期日，2025年，2月5日小注入：为维持电中性所增加的多子可忽略大注入：为维持电中性所增加的多子不可忽略基区电导调制效应小注入大注入基区多子浓度增大导致基区电导率增大“基区电导调制效应”（基区电导率受注入电流调制）第37页，共60页，星期日，2025年，2月5日发射极电流集边效应

（基区电阻自偏压效应）晶体管工作在大电流状态时，较大的基极电流流过基极电阻，将在基区中产生较大的横向压降，使发射结的正向偏置电压从边缘到中心逐渐减小，发射极电流密度则由中心到边缘逐渐增大，由此产生发射极电流集边效应。由基区电阻的不均匀所导致第38页，共60页，星期日，2025年，2月5日梳状电极平面晶体管的结构示意图第39页，共60页，星期日，2025年，2月5日横向压降随着基区薄层电阻的增大而增大，随着y的增加而上升。即发射极条宽越宽，距离发射极中心越远，则基区横向压降越大，发射极电流集边效应就越明显。此外，工作电流越大，基区横向压降也越大，发射极电流集边效应也就越明显。第40页，共60页，星期日，2025年，2月5日防止发射极电流集边效应为了减小基区横向压降，防止发射极电流集边效应，应尽量缩小发射极宽度。但实际晶体管中，最小条宽的选择往往受光刻和制版工艺水平的限制。因此，在选择条宽时，既要防止电流集边，使发射结面积得到充分利用，而尽量选用较小的条宽；但又不能选取过小的条宽，使工艺难度增大。第41页，共60页，星期日，2025年，2月5日4.5晶体管的最大耗散功率PCm和热阻RT最大耗散功率就是晶体管的主要热限制参数。因为晶体管在受到电学特性限制的同时，还要受到热学特性的限制。总耗散功率PC晶体管工作时，电流通过发射结、集电结和体串联电阻都会发生功率耗散第42页，共60页，星期日，2025年，2月5日半导体器件物理第四章晶体管的频率特性和功率特性半导体器件物理第1页，共60页，星期日，2025年，2月5日●——本章重点?晶体管的频率特性?晶体管的功率增益和最高振荡频率?晶体管的大电流特性?晶体管的二次击穿?晶体管的安全工作区第2页，共60页，星期日，2025年，2月5日在交流工作状态下，P-N结的电容效应将对晶体管的工作特性产生影响。当频率升高时，晶体管的放大特性要发生变化