项目二硅锭棒的检测黄宵08课件.pptxVIP

项目二

硅锭（棒）的检测

主讲人：黄宵

任务目标

任务描述

任务实施

一、任务目标

1.掌握分凝效应和蒸发效应的基本原理；

2.能正确地进行电阻率的检测；

3.能根据检测结果查出杂质含量的浓度

二、任务描述

多晶硅半导体被掺入杂质时，半导体变成非本

征的，而且引起导电型号的改变，施主杂质的

典型代表是磷，受主的典型代表是硼。本任务

采用四探针法检测电阻率。

三、任务实施

（一）悬浮区熔法检验硅多晶中硼、磷含量的原理

利用硅熔体中杂质的分凝效应（当固液或固气两相

平衡共存时，两相的组成不同。这种现象称为分凝）

和蒸发效应，在真空条件下，在硅棒上建立一个熔

区，熔区温度1410℃，并使之从一端移至另一端，

以达到提纯和控制杂质的目的。

三、任务实施

三、任务实施

以上硼、磷杂质含量也可根据测得的电阻率，对照

图2.1硅中杂质浓度和电阻率关系曲线求得。

三、任务实施

（二）区熔提纯和测试的具体要求

细棒区熔可用小型区熔炉，感应加热线圈内径ø25mm

左右，太小会影响提纯效果。从还原法生产的多晶上

切取m多晶棒，经过去油和酸洗后，用大于10MΩ·cm

超纯水冲洗、烘干备用。

硼检籽晶应从高纯P型单晶中切取，经酸腐蚀清洗后备

用（不要与P型高阻单晶相混，高阻不一定高纯，高纯

必定高阻）。磷检籽晶应从高纯N型单晶中切取，酸腐

蚀清洗后备用。

课后作业：

1.简述悬浮区熔法检测硅多晶中硼、

磷含量的原理？

2.多晶硅经过提纯到本底为P型

2000Ω·cm，其基硼的含量是多少？