第三章 三极管及放大电路.pptVIP

第三章三极管及放大

电路

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1956年WillifamBradfordShockley，JohnBardeen及WalterHouser

Brattain荣获诺贝尔物理奖，诺贝尔委员会在赞词中说：“表彰

三位学者在半导体研究及发现电晶体的效应。”

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3.1半导体三极管（BJT）

3.1.1BJT的结构简介

3.1.2BJT的电流分配与放大原理

3.1.3BJT的特性曲线

3.1.4BJT的主要参数

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3.1.1BJT的结构简介

BJT(BipolarJunctionTransistor)。

三极管是通过一定制造工艺，把两个PN结结合在一起的

器件。

有两种类型:NPN型和PNP型。

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发射区基区集电区

发射极，集电极，

用或表示

Ee用C或c表示

（）

Emitter(Collector)

发射结(Je)集电结(Jc)

基极，用B或b表示（Base）

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结构特点：

•发射区的掺杂浓度最高；

•集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；

•基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂

浓度最低。

管芯结构剖面图

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3.1.2BJT的电流分配与放大原理

三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载

流子传输体现出来的。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

1.内部载流子的传输过程

发射区：发射载流子

集电区：收集载流子

基区：传送和控制载流子

（以NPN为例）

载流子的传输过程

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2.电流分配关系

根据传输过程可知IE=IB+ICIC=InC+ICBOIB=IB’-

ICBO

传输到集电极的电流I

设即nC

发射极注入电流

IE

I

通常ICICBOC

则有

IE

为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关

，与外加电压无关。一般

=0.9