掺氮In-Sn-Zn-O薄膜晶体管：制备工艺与性能优化的深度探究.docxVIP

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2025-11-07 发布于上海
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掺氮In-Sn-Zn-O薄膜晶体管：制备工艺与性能优化的深度探究.docx

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掺氮In-Sn-Zn-O薄膜晶体管：制备工艺与性能优化的深度探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着电子信息技术的飞速发展，薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）作为构成现代电子器件的关键组件，在众多领域得到了广泛应用。从常见的液晶显示器（LCD）、有机发光二极管显示器（OLED），到新兴的柔性电子设备、传感器等，TFT都发挥着不可或缺的作用。它能够实现信号的放大、开关和驱动功能，为各种电子设备的正常运行提供了基础支持。

在TFT的发展历程中，材料的选择和优化一直是研究的核心。传统的非晶硅TFT存在迁移率较低、稳定性欠佳等问题，难以满足日益增长的高性能电子