2025年电子科学与技术考研半导体物理试卷（含答案）.docxVIP

2025年电子科学与技术考研半导体物理试卷（含答案）

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。下列每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确选项前的字母填在题后的括号内。）

1.下列哪种晶体结构的半导体具有间接带隙特性？

(A)金刚石

(B)硅

(C)锗

(D)砷化镓

2.在本征半导体中，温度升高时，其电导率将如何变化？

(A)增大

(B)减小

(C)不变

(D)先增大后减小

3.对于N型半导体，其施主能级位于：

(A)导带底之下

(B)价带顶之上

(C)费米能级之下，禁带中部

(D)费米能级之上，禁带中部

4.在PN结空间电荷区，主要存在的电场是：

(A)感应电场

(B)内建电场

(C)外加电场

(D)磁场

5.当PN结加反向电压时，其空间电荷区宽度和内建电压将：

(A)空间电荷区宽度增大，内建电压增大

(B)空间电荷区宽度减小，内建电压减小

(C)空间电荷区宽度增大，内建电压减小

(D)空间电荷区宽度减小，内建电压增大

6.半导体中载流子的漂移电流密度与下列哪个因素成正比？

(A)载流子浓度

(B)载流子迁移率

(C)电场强度

(D)以上所有因素

7.直接带隙半导体的发光效率通常比间接带隙半导体：

(A)低

(B)高

(C)相同

(D)无法比较

8.硅的禁带宽度约为1.12eV，若价带顶的有效态密度为Nc，导带底的有效态密度为Nv，则本征载流子浓度ni近似为：

(A)Nc*exp(-Eg/2kT)

(B)sqrt(Nc*Nv)*exp(-Eg/kT)

(C)Nv*exp(-Eg/2kT)

(D)sqrt(Nc*Nv)*exp(-Eg/2kT)

9.在理想PN结的平衡状态，流过结的电流：

(A)为零

(B)为正向电流

(C)为反向电流

(D)无法确定

10.MOS电容模型中，当栅极施加正偏压时，Si-SiO2界面处的固定电荷主要影响：

(A)耗尽层宽度

(B)势垒高度

(C)电容值

(D)载流子迁移率

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填写在题中横线上。）

11.纯净的、不含杂质的半导体称为______半导体。

12.能带理论认为，晶体中电子的能级形成一系列允许的______和禁止的______。

13.半导体中载流子的迁移率是指载流子在单位______作用下的平均漂移速度。

14.PN结的内建电场是由空间电荷区的______产生的，其方向从______区指向______区。

15.当PN结加正向电压时，其空间电荷区宽度将______，势垒高度将______。

16.半导体光吸收系数与光子能量E的关系，在E小于禁带宽度Eg时通常近似为______。

17.硅和锗都属于______族元素，它们的晶体结构为______。

18.影响半导体电导率的因素主要有______、______和______。

19.MOS电容中，当栅极电压足够高，使得耗尽层扩展到______区时，称为强反型。

20.齐纳击穿是指PN结在反向电压作用下，由于______而发生的电击穿现象。

三、计算题（每题10分，共30分。请写出详细的计算过程和结果。）

21.硅的禁带宽度Eg=1.12eV，有效态密度Nc=2.8×1022cm?3，Nv=1.04×1021cm?3。试计算室温（T=300K）下本征载流子浓度ni。

22.有一硅PN结，其掺杂浓度NA=1×101?cm?3（P型），ND=1×102?cm?3（N型）。设电子和空穴的迁移率μn=1400cm2/V·s，μp=450cm2/V·s，本征载流子浓度ni=1.45×101?cm?3。忽略扩散电流和位移电流，试计算该PN结在平衡状态下的内建电压（设μn≈2μp）。

23.硅的电子迁移率μn=1400cm2/V·s，空穴迁移率μp=450cm2/V·s。若在室温下，N型硅中电子浓度n=1×101?cm?3。试计算该N型硅材料的电导率σ。

四、简答题（每题10分，共30分。请简洁明了地回答下列问题。）

24.简述半导体中杂