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4、PN结的伏安特性ID(mA)V(V)VD(on)-ISSiGeVD(on)=0.7VIS=(10-9-10-16)A硅PN结VD(on)=0.25V锗PN结IS=(10-6-10-8)AVVD(on)时随着V?正向R很小I??PN结导通；VVD(on)时IR很小(IR?-IS)反向R很大PN结截止。第29页，共75页，星期日，2025年，2月5日|V反|?=V(BR)时，?IR急剧???，?PN结反向击穿PN结的反向击穿特性雪崩击穿齐纳击穿PN结掺杂浓度较低(lo较宽)发生条件外加反向电压较大(6V)形成原因:碰撞电离。V(BR)ID(mA)V(V)形成原因:场致激发。发生条件PN结掺杂浓度较高(lo较窄)外加反向电压较小(6V)反向击穿电压第30页，共75页，星期日，2025年，2月5日5、PN结的电容效应空间电荷区宽度随外加电压的变化而变化（即耗尽层的电荷量随外加电压变化），这种现象与电容的充放电类似。利用该特性制成变容二极管。势垒电容Cb扩散电容CdPN结的正向电流在扩散路程中，载流子不仅有一定的浓度，还有一定的浓度梯度（浓度差）。载流子的浓度和浓度差随外加正向电压的变化而变化。这种变化是电荷的积累与释放，与电容的充放电过程相同，该电容效应称扩散电容。第31页，共75页，星期日，2025年，2月5日PN结电容PN结反偏时，CbCd，则Cj≈CbPN结总电容：Cj=Cb+CdPN结正偏时，CdCb，则Cj≈Cd故：PN结正偏时，以Cd（扩散电容）为主。故：PN结反偏时，以Cb（势垒电容）为主。通常：Cd≈几十pF~几千pF。通常：Cb≈几pF~几十pF。PN结电容值很小，对低频信号呈现很大的容抗，其作用可忽略；只有在高频时才考虑结电容的作用。第32页，共75页，星期日，2025年，2月5日总结2、PN结正向导通、反向截止。3、PN结的反向击穿有两种。雪崩击穿（低掺杂）电压高（6V），具有正温度系数；齐纳击穿（高掺杂）电压低（6V），具有负温度系数。利用反向击穿特性可制成稳压二极管。4、PN结电容有势垒电容和扩散电容组成。正偏时以扩散电容为主；反偏时以势垒电容为主。利用势垒电容可制成变容二极管。1、PN结是非线性电阻器件，同时又存在寄生的非线性电容效应。第33页，共75页，星期日，2025年，2月5日3.2半导体二极管及其基本应用电路PN结正偏（P接+、N接-），D导通。PN正极负极半导体二极管的主要特性：单向导电特性PN结反偏（N接+、P接-），D截止。即主要用途：用于整流、开关、检波电路中。+-一、半导体二极管第34页，共75页，星期日，2025年，2月5日将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。小功率二极管大功率二极管稳压二极管发光二极管第35页，共75页，星期日，2025年，2月5日二、二极管的伏安特性及电流方程材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.7V0.5~0.8V1μA以下锗Ge0.25V0.1~0.3V几十μA开启电压反向饱和电流击穿电压温度的电压当量二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。第36页，共75页，星期日，2025年，2月5日从二极管的伏安特性可以反映出：

1.单向导电性2.伏安特性受温度影响T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓→反向饱和电流IS↑，U(BR)↓正向特性为指数曲线反向特性为横轴的平行线增大1倍/10℃第37页，共75页，星期日，2025年，2月5日三、二极管的主要参数最大整流电流IF：二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。最大反向工作电压UR：允许外加的最大反向电压，手册上给出的最高反向工作电压一般是UBR的一半。反向电流IR：在室温下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。最高工作频率fM：二极管工作的上限频率。原因是PN结有电容效应。第38页，共75页，星期日，2025年，2月5日四、二极管的等效电路理想二极管近似分析中最常用理想开关导通时UD＝0截止时IS＝0导通时UD＝Uon截止时IS＝0导通时△i与△u成线性关系应根据不同情况选