考研集成电路设计与集成系统2025年半导体物理模拟试卷（含答案）.docxVIP

考研集成电路设计与集成系统2025年半导体物理模拟试卷（含答案）

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.下列哪个物理量不是描述晶体周期性势场中电子能态分布特征的基本参数？

A.能带

B.能谷

C.有效质量

D.平均自由程

2.在本征半导体中，下列说法正确的是？

A.空穴浓度等于自由电子浓度

B.空穴浓度大于自由电子浓度

C.载流子浓度仅由温度决定

D.掺杂能显著增加本征载流子浓度

3.对于N型半导体，下列哪个叙述是错误的？

A.主要载流子是电子

B.空穴浓度远小于电子浓度

C.杂质原子提供多余电子

D.施主能级位于导带底以下

4.半导体中，载流子迁移率主要取决于？

A.载流子浓度

B.电场强度

C.晶体晶格的周期性和散射机制

D.半导体材料的化学成分

5.当P型半导体和N型半导体接触形成P-N结时，空间电荷区（耗尽层）内主要存在？

A.自由电子和空穴

B.离子化杂质和少数载流子

C.自由电子和离子化杂质

D.空穴和离子化杂质

6.当给P-N结施加正向偏压时，下列哪个现象会发生？

A.耗尽层变宽

B.内建电场增强

C.耗尽层变窄，多数载流子注入对方区域

D.结电场消失，载流子无法移动

7.半导体中，能带结构的存在主要是因为？

A.核外电子的量子化能级

B.原子间的相互作用

C.晶体周期性势场的作用

D.温度对电子能级的影响

8.对于理想P-N结，其零偏压时的内建电场方向是？

A.从N区指向P区

B.从P区指向N区

C.垂直于结面，方向不定

D.结电场为零

9.下列哪种缺陷通常会导致半导体材料的电导率降低？

A.空位

B.填隙原子

C.杂质原子（若为受主且浓度合适）

D.位错

10.半导体器件对温度的敏感性主要来源于？

A.晶体缺陷的增加

B.载流子迁移率的显著变化

C.本征载流子浓度随温度的指数变化

D.杂质浓度的变化

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填在题中的横线上）

1.在半导体能带模型中，价带顶和导带底之间存在的禁带宽度是电子______能量跃迁所必须克服的能垒。

2.空穴被视为带正电荷的载流子，它的移动实际上是______的移动。

3.描述载流子在电场作用下定向运动快慢的物理量是______。

4.P-N结在平衡状态下，其两侧的接触电势差（或内建电势）是由两侧载流子浓度差决定的，方向从______区指向______区。

5.当P-N结外加反向偏压时，耗尽层______，内建电场______，阻止多数载流子注入对方区域。

6.半导体材料的电导率与其载流子浓度和______成正比。

7.能带理论认为，晶体中电子的势能是______的函数。

8.在半导体物理中，有效质量是描述电子在______中运动状态的等效质量。

9.除了掺杂和温度，半导体的电学性质还会受到______的影响。

10.势垒高度和______是决定半导体P-N结反向电流特性的关键因素。

三、简答题（每小题5分，共20分）

1.简述能带形成的基本原理。为什么绝缘体的禁带宽度通常远大于半导体？

2.解释什么是半导体内的“内建电场”？它在P-N结形成过程中起什么作用？

3.什么是半导体中的“少数载流子”？它与“多数载流子”有何区别？在P-N结反向偏置时，少数载流子的运动有何特点？

4.简述掺杂对半导体载流子浓度和电导率的影响机制。

四、计算题（每小题10分，共30分）

1.硅的禁带宽度Eg=1.12eV。计算在300K时，本征硅中电子和空穴的浓度（本征载流子浓度）ni。已知硅的电子亲和能χ≈4.05eV，有效质量me*=0.98m0，空穴有效质量mh*=0.55m0，其中m0是电子的静止质量，h是普朗克常数，k是玻尔兹曼常数。（结果可保留一位小数）

2.一个硅P-N结，P区掺杂浓度N_A=1e21/cm3，N区掺杂浓度N_D=1e22/cm3。假设耗尽近似成立，且P区和N区宽度相等（W）。计算该结在零偏压下的内建电场E_bi（设P区为高掺杂侧，N区为低掺杂侧，电子势能高于空穴）。硅的介电常数εSi≈11.7ε?，其中ε?是真空介电常数。