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2025年硬件工程师笔试题附答案
一、基础知识
1.某N型半导体材料中,施主杂质浓度Nd=1×101?cm?3,本征载流子浓度ni=1×101?cm?3,300K时电子迁移率μn=1350cm2/V·s,空穴迁移率μp=480cm2/V·s。(1)计算该半导体的电导率σ;(2)说明温度从300K升至400K时,电导率的变化趋势及原因(kT/q≈0.026V)。
答案:(1)N型半导体中电子浓度n≈Nd=1×101?cm?3,空穴浓度p=ni2/n=(1×101?)2/(1×101?)=1×10?cm?3。电导率σ=q(nμn+pμp)=1.6×10?1?×(1×101?×
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