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2025届鹏芯微校园招聘火热进行中笔试参考题库附带答案详解.docx

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    2025届鹏芯微校园招聘火热进行中笔试参考题库附带答案详解

    第一部分数字逻辑与电路基础

    （单选，每题2分，共20分）

    1.在CMOS反相器中，若PMOS宽长比固定，减小NMOS宽长比会导致

    A.上升延迟减小，下降延迟增大

    B.上升延迟增大，下降延迟减小

    C.上升、下降延迟均增大

    D.上升、下降延迟均减小

    答案：B

    详解：NMOS宽长比减小使其导通电阻增大，下拉电流能力下降，故下降延迟增大；同时PMOS相对变“强”，对负载电容充电更快，上升延迟减小。

    2.某4位超前进位加法器实现16位加法时，关键路径位于

    A.第4位进位生成

    B.第8位进位

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