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2025校招：工艺整合试题及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.以下哪种工艺不属于前端工艺？

A.光刻

B.刻蚀

C.封装

D.离子注入

2.光刻工艺中，最重要的参数是？

A.温度

B.压力

C.曝光剂量

D.湿度

3.刻蚀工艺的主要目的是？

A.去除多余材料

B.增加材料厚度

C.改变材料颜色

D.提高材料硬度

4.离子注入的作用是？

A.改变材料导电性

B.提高材料韧性

C.降低材料密度

D.增加材料透明度

5.化学机械抛光（CMP）的主要作用是？

A.表面平坦化

B.表面粗糙化

C.表面着色

D.表面硬化

6.以下哪种气体常用于等离子体刻蚀？

A.氧气

B.氮气

C.氯气

D.氢气

7.光刻胶的主要成分是？

A.树脂

B.溶剂

C.感光剂

D.以上都是

8.扩散工艺是在什么环境下进行？

A.高温

B.低温

C.常温

D.超低温

9.工艺整合的核心目标是？

A.提高生产效率

B.降低成本

C.保证产品性能和良率

D.减少设备损耗

10.薄膜沉积工艺中，物理气相沉积（PVD）不包括？

A.溅射

B.蒸发

C.化学气相沉积

D.离子镀

多项选择题（每题2分，共20分）

1.前端工艺主要包括以下哪些？

A.光刻

B.刻蚀

C.离子注入

D.封装

2.光刻工艺涉及的关键步骤有？

A.涂胶

B.曝光

C.显影

D.刻蚀

3.刻蚀工艺可分为？

A.干法刻蚀

B.湿法刻蚀

C.化学刻蚀

D.物理刻蚀

4.离子注入工艺的优点有？

A.精确控制杂质浓度

B.低温工艺

C.可实现选择性掺杂

D.提高材料硬度

5.化学机械抛光（CMP）的影响因素有？

A.压力

B.转速

C.抛光液成分

D.温度

6.常用于等离子体刻蚀的气体有？

A.氟化物气体

B.氯化物气体

C.氧气

D.氮气

7.光刻胶的性能指标包括？

A.分辨率

B.灵敏度

C.对比度

D.粘附性

8.扩散工艺的扩散机制有？

A.间隙扩散

B.替位扩散

C.表面扩散

D.晶界扩散

9.工艺整合需要考虑的因素有？

A.工艺兼容性

B.设备利用率

C.成本控制

D.产品性能和良率

10.薄膜沉积工艺包括？

A.物理气相沉积（PVD）

B.化学气相沉积（CVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.电镀

判断题（每题2分，共20分）

1.光刻工艺是将掩膜版上的图形转移到晶圆表面的光刻胶上。（）

2.刻蚀工艺只能采用干法刻蚀。（）

3.离子注入会改变材料的晶体结构。（）

4.化学机械抛光（CMP）可以完全消除表面的粗糙度。（）

5.等离子体刻蚀中，气体的选择只取决于刻蚀速率。（）

6.光刻胶的分辨率越高，越能实现精细图形的转移。（）

7.扩散工艺是在常温下进行的。（）

8.工艺整合只需要考虑工艺的先进性，不需要考虑成本。（）

9.物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）的原理相同。（）

10.封装工艺属于后端工艺。（）

简答题（每题5分，共20分）

1.简述光刻工艺的基本流程。

2.干法刻蚀和湿法刻蚀各有什么优缺点？

3.离子注入工艺后为什么需要进行退火处理？

4.工艺整合在半导体制造中有什么重要作用？

讨论题（每题5分，共20分）

1.讨论光刻工艺中曝光剂量对图形转移质量的影响。

2.分析化学机械抛光（CMP）工艺在提高芯片性能方面的作用和挑战。

3.探讨工艺整合中如何平衡成本和产品性能。

4.谈谈你对未来工艺整合技术发展趋势的看法。

答案

单项选择题

1.C

2.C

3.A

4.A

5.A

6.C

7.D

8.A

9.C

10.C

多项选择题

1.ABC

2.ABC

3.AB

4.ABC

5.ABCD

6.ABC

7.ABCD

8.AB

9.ABCD

10.ABCD

判断题

1.√

2.×

3.√

4.×

5.×

6.√

7.×

8.×

9.×

10.√

简答题

1.基本流程为涂胶、前烘、曝光、后烘、显影、坚膜。先在晶圆涂光刻胶，前烘去除溶剂，曝光使光刻胶感光，后烘稳定图形，显影去除部分光刻胶，坚膜增强光刻胶粘附性。

2.干法刻蚀优点是精度高、可实现各向异性刻蚀；缺点是设备贵、成本高。湿法刻蚀优点是成本低、设备简单；缺点是各向同性、精度低。

3.离子注入会损伤材料晶体结构，退火可修复损伤，使注入离子激活，恢复材料电学性能，提高材料稳定性和可靠性。

4.作用是将各工艺有机结合，保证产品性能和良率，提高生产