单片机原理及应用 (2).pptVIP

二、位寻址区第30页，共55页，星期日，2025年，2月5日三、通用RAM区30H至7FH共80个字节作为数据缓冲器操作指令丰富，数据处理方便灵活堆栈区：通常在30H~7FH范围栈顶：SP寄存器指示复位时SP的初值为07H第31页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.5.380C51的特殊功能寄存器(SFR)第32页，共55页，星期日，2025年，2月5日一、与运算器相关的寄存器（3个）累加器ACC，8位。提供操作数，存结果；寄存器B，8位。主要用于乘、除法运算。程序状态字寄存器PSW，8位。各位含义为：CY：进位、借位标志。有进位、借位时CY=1，否则CY=0；AC：辅助进位、借位标志；F0：用户标志位，由用户自己定义；RS1、RS0：当前工作寄存器组选择位；OV：溢出标志位。有溢出时OV=1，否则OV=0；P：奇偶标志位。ACC中结果有奇数个1时P=1，否则P=0。第33页，共55页，星期日，2025年，2月5日二、指针类寄存器（3个）堆栈指针SP，8位。总是指向栈顶。遵循“后进先出”的原则入栈时，SP先加1，数据再压入SP指向的单元。出栈操作时先将SP指向的单元的数据弹出，然后，SP再减1，这时SP指向的单元是新的栈顶。80C51单片机的堆栈区是向地址增大的方向生成的。第34页，共55页，星期日，2025年，2月5日三、与口相关的寄存器（7个）并行I/O口P0、P1、P2、P3，均为8位；串行口数据缓冲器SBUF；串行口控制寄存器SCON；串行通讯波特率倍增寄存器PCON，（又称为电源控制寄存器）。数据指针DPTR。用来存放16位的地址。它由两个8位的寄存器DPH和DPL组成。第35页，共55页，星期日，2025年，2月5日四、与中断相关的寄存器（2个）中断允许控制寄存器IE；中断优先级控制寄存器IP。五、与定时器/计数器相关的寄存器（6个）T0的两个8位计数初值寄存器TH0、TL0T1的两个8位计数初值寄存器TH1、TL1工作方式寄存器TMOD；控制寄存器TCON。第36页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.680C51的并行口结构与操作2.6.1P0口、P2口的结构一、P0口的结构第37页，共55页，星期日，2025年，2月5日1、P0用作通用I/O口系统不扩展（片外ROM、片外RAM）时，P0用作通用I/O口。MUX接锁存器反相端T1截止，漏极开路此时，C=0输出时，执行口输出指令，数据在“写锁存器”信号作用下，经锁存器反向端送至T2，反相后送至P0.X。第38页，共55页，星期日，2025年，2月5日输入时，数据可读自锁存器，也可读自引脚。由指令是“读锁存器”指令还是“读引脚”指令来决定。“读—修改—写”类指令（如：ANLP0，A）产生“读锁存器”操作信号；读锁存器可避免因外部电路原因使原口引脚的状态发生变化造成的误读。第39页，共55页，星期日，2025年，2月5日第1页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.180C51系列概述2.1.1MCS-51系列MCS-51是Intel公司生产的一个单片机系列名称。这一系列的单片机有多种，如：8051/8751/80318052/8752/803280C51/87C51/80C3180C52/87C52/80C32等第2页，共55页，星期日，2025年，2月5日生产工艺有两种：在产品型号中凡带有字母“C”的即为CHMOS芯片，CHMOS芯片的电平既与TTL电平兼容，又与CMOS电平兼容。一是HMOS工艺（高密度短沟道MOS工艺）。二是CHMOS工艺（互补金属氧化物的HMOS工艺）。第3页，共55页，星期日，2025年，2月5日功能上，该系列单片机有基本型和增强型两大类：增强型：8052/8752/803280C52/87C52/80C32基本型：8051/8751/803180C51/87C51/80C31第4页，共55页，星期日，2025年，2月5日在片内程序存储器的配置上，该系列单片机有三种形式，即掩膜ROM、EPROM和ROMLess。如：80C51有4K字节的掩膜ROM87C51有4K字节的EPROM80C31在芯片内无程序存储器。第5页，共55页，星期日，2025年，2月5日2.1.280C51系列Intel：80C31、80C51、87C51，80C32