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集成电路制造技术原理与工艺

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01集成电路基础

02制造原理核心

03关键工艺步骤

04材料与技术应用

05设备与工具系统

06质量控制与趋势

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PART1

集成电路基础

定义与分类

集成电路的定义

集成电路（IC）是通过半导体工艺将晶体管、电阻、电容等电子元件及互连线集成在单一晶圆上的微型电路系统，具有高

集成度、低功耗和高可靠性等特点。

按功能分类

集成电路可分为模拟集成电路（如运算放大器、电源管理芯片）、数字集成电路（如微处理器、存储器）和混合信号集成

电路（如模数转换器）。

按集成规模分类

根据元件数量可分为小规模集成电路（SSI，少于100个元件）、中规模（MSI，100-1000个）、大规模（LSI，

1000-10万）、超大规模（VLSI，10万-1000万）和特大规模（ULSI，超过1000万）。

按制造工艺分类

包括双极型工艺（如TTL）、CMOS工艺（主流技术）、BiCMOS工艺（结合双极与CMOS优势）以及新兴的FinFET和

GAAFET工艺。

历史发展概述

早期探索阶段（1940s-1950s）

1947年贝尔实验室发明晶体管，1958年德州仪器的杰克·基尔比

研制出首个锗基集成电路，1959年仙童半导体的罗伯特·诺伊斯提

出硅平面工艺。

技术突破期（1960s-1980s）

1963年CMOS技术问世，1971年英特尔推出首款微处理器4004，

1980年代VLSI技术推动计算机和通信产业革命。

现代发展阶段（1990s至今）

1997年铜互连工艺量产，2007年FinFET结构商用化，2010年

后EUV光刻技术逐步成熟，推动制程进入7nm以下节点。

基本结构组成

有源器件互连系统

衬底材料包括MOSFET（金属-氧化物半由多层金属（铜或铝）布线、通辅助结构

导体场效应管）、BJT（双极结孔（Via）和介质层（低k材料）

通常采用高纯度单晶硅片（直径包含钝化层（）、

型晶体管）等，构成电路的核心组成，实现元件间电气连接，现Si3N4/SiO2

达300mm），特殊应用可能使焊盘（Pad）和测试结构

开关与放大功能。代芯片可达15层以上金属层。

用SOI（绝缘体上硅）或化合物