- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
光伏制造流程讲解
演讲人:
日期:
CATALOGUE
目录
01
02
03
04
硅料处理阶段
组件组装工艺
电池片制造核心
硅片加工环节
05
06
工厂支持系统
性能测试验证
硅料处理阶段
01
多晶硅原料提纯
冶金级硅精炼
通过高温还原石英砂中的二氧化硅,得到纯度约98%的冶金级硅,作为后续提纯的基础原料。
化学气相沉积(CVD)提纯
采用西门子法或流化床法,将冶金级硅与氯化氢反应生成三氯氢硅,再通过高温分解和氢气还原,得到纯度达99.9999%以上的电子级多晶硅。
尾气回收与循环利用
提纯过程中产生的副产物(如四氯化硅)需经过氢化处理转化为三氯氢硅,实现资源循环利用并降低环境污染。
单晶硅棒生长(直拉法)
将高纯度多晶硅放入石英坩埚中加热至1420℃熔融,通过籽晶定向诱导晶体生长,严格控制温度梯度和旋转速度以确保晶格一致性。
籽晶引晶与熔融控制
通过精确调控拉速(通常0.5-2mm/min)和坩埚升降速度,使硅棒直径保持恒定(常见8英寸或12英寸),减少位错缺陷。
晶体等径生长阶段
生长完成后缓慢降温以避免热应力裂纹,并通过退火处理进一步消除晶体内部应力,提升电学性能。
收尾与冷却工艺
01
02
03
硅锭切割与清洗
金刚线多线切割技术
使用直径0.1mm以下的金刚石涂层钢丝线,配合碳化硅砂浆或纯水冷却液,将硅锭切割成180-200μm厚度的硅片,切割损耗控制在0.2mm以内。
超声清洗与化学蚀刻
切割后的硅片需经过碱液(如KOH)去除表面损伤层,再通过氢氟酸和硝酸混合液清除金属杂质,最后用去离子水高频超声清洗。
表面钝化处理
通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在硅片表面形成氮化硅减反射层,同时实现表面钝化以降低复合速率。
硅片加工环节
02
线锯切割硅锭
金刚石线锯技术
采用镀有金刚石颗粒的钢丝进行高速切割,相比传统砂浆切割可提升效率30%以上,同时减少硅料损耗和环境污染。
切割厚度控制
通过精密张力系统和冷却液调控,将硅锭切割成180-200μm厚度的硅片,需确保厚度均匀性误差小于±5μm以保障后续电池片性能。
晶向定位优化
切割前需通过X射线衍射仪确定硅锭晶向(通常为100或111),避免切割角度偏差导致硅片机械强度下降或光吸收效率降低。
硅片表面抛光
化学机械抛光(CMP)
采用二氧化硅碱性抛光液配合聚氨酯抛光垫,分粗抛和精抛两阶段处理,使表面粗糙度降至0.3nm以下,减少光散射损失。
损伤层去除
通过氢氟酸-硝酸混合溶液蚀刻去除切割产生的10-15μm表面微裂纹层,同时形成织构化表面以增强光捕获能力。
洁净度控制
抛光后需经兆声波清洗和超纯水冲洗,确保表面金属杂质浓度低于1×10¹⁰atoms/cm²,避免影响PN结形成。
边缘倒角与缺陷检测
激光倒角工艺
采用532nm脉冲激光对硅片边缘进行45°斜面处理,消除切割毛刺并降低碎片率,倒角宽度需控制在0.2-0.5mm范围内。
全自动光学检测
通过多光谱成像系统扫描硅片表面,识别微裂纹、位错等缺陷,检测精度达0.1μm,不良品自动分拣剔除。
载流子寿命测试
使用微波光电导衰减法(μ-PCD)测量少子寿命,合格硅片寿命值应大于50μs,确保后续电池转换效率超过22%。
电池片制造核心
03
制绒与表面织构化
通过化学蚀刻或机械刻蚀在硅片表面形成微米级绒面结构,有效降低光反射率,增加光吸收路径,提升电池片的光电转换效率。
表面粗糙化处理
利用碱性溶液对单晶硅进行选择性腐蚀,形成金字塔状织构,优化入射光的散射特性,减少表面光损失。
各向异性腐蚀技术
在制绒后需彻底清洗硅片表面残留的化学试剂,并去除切割过程中产生的机械损伤层,确保后续工艺的稳定性。
清洗与去损伤层
01
02
03
磷扩散形成PN结
01.
高温扩散工艺
将硅片置于含磷源的高温炉中,通过气相扩散使磷原子掺入硅片表层,形成N型半导体层,与P型基底构成PN结。
02.
浓度梯度控制
精确调控扩散温度和时间,确保磷掺杂浓度从表面向内部递减,形成理想的耗尽区宽度,优化载流子分离效率。
03.
边缘刻蚀与隔离
扩散后需去除硅片边缘的磷硅玻璃层并进行隔离处理,防止边缘漏电影响电池性能。
减反射层镀膜
氮化硅薄膜沉积
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在电池表面镀制氮化硅减反射层,通过光学干涉效应降低表面反射率至5%以下。
双层膜结构设计
减反射层同时具备表面钝化功能,可有效降低表面复合速率,提升少子寿命,使电池开路电压提高10-15mV。
部分工艺采用氧化硅/氮化硅双层膜,进一步拓宽减反射波段范围,增强对紫外和红外光的吸收能力。
钝化作用
组件组装工艺
04
电池片串焊与叠层
电池片分选与测试
在串焊前需对电池片进行严格分选,确保电性能参数(如转换效率、开路电压等)一致性,避免因性能差
您可能关注的文档
最近下载
- 2024年中国铁路青藏集团有限公司招聘笔试真题.docx VIP
- 技能人才评价质量督导员考核试卷及答案.docx VIP
- 世纪购物广场施工组织世纪购物广场施工组织.doc VIP
- ukit入门级课程4高尔夫机器人.pdf VIP
- 《方孝孺·家人箴十五首有序》原文注释与译文.docx VIP
- 2024年中国铁路青藏集团有限公司招聘考试真题.docx
- 2023年度重庆市特种设备相关管理电梯考试题(含答案) .pdf VIP
- 七年级语文上册整本书阅读《朝花夕拾》内容梳理.docx
- 2025至2030中国新能源汽车充电设施建设现状及投资效益分析报告.docx
- 贵州国企招聘:2026贵州金融控股集团有限责任公司招聘27人公模拟试卷(浓缩300题)最新.docx VIP
原创力文档


文档评论(0)