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提高LED芯片出射效率的技术
以目前的技术可以使InGaN有源层在常温，一般注入电流条件下的内量子效率到达90~95%。当温度上升，内量子效率会比较大的下降。因此要提高发光效率必需掌握结温顺提高出光效率。
提高LED芯片出射效率的技术
衬底激光剥离技术〔Lift-off〕
由于LED的GaAs基衬底的折射率格外大，所以它所造成的内部光吸取损失很大。这种方法将LED的GaAs衬底剥离，换成透亮衬底，然后粘结在透亮的GaP衬底上，使光从下底面出射。所以又被称为透亮衬底LED〔TS-LED〕法。[4]理论上讲，这种方法可以提高光的出射率一倍。
对于以蓝宝石衬底为主的
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