薄膜材料与薄膜技术习题试卷及答案.docxVIP

薄膜材料与薄膜技术习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.下列哪种薄膜制备方法属于物理气相沉积（PVD）技术？（）

A.化学气相沉积（CVD）

B.喷涂沉积

C.溅射沉积

D.电镀

2.在薄膜生长过程中，形成均匀薄膜的关键步骤之一是（）。

A.沉积结束

B.成核

C.薄膜去除

D.热处理

3.下列哪个物理量通常用来描述薄膜的厚度？（）

A.密度

B.硬度

C.沉积速率

D.比重

4.X射线光电子能谱（XPS）主要用于分析薄膜的（）。

A.光学特性

B.微观结构

C.化学元素组成和化学态

D.力学性能

5.薄膜与基底之间的结合强度通常用（）来表征。

A.薄膜厚度

B.附着力

C.晶体结构

D.沉积温度

6.增透膜通常利用了光的（）原理来减少反射。

A.干涉

B.衍射

C.偏振

D.吸收

7.太阳能电池中的减反射膜主要目的是（）。

A.增加电池厚度

B.提高电池透明度

C.增强电池对特定波长光的吸收

D.改善电池的导电性

8.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）与化学气相沉积（CVD）的主要区别在于（）。

A.沉积材料不同

B.沉积速率不同

C.是否引入等离子体激发反应物

D.薄膜应力不同

9.薄膜的晶体结构与哪种因素密切相关？（）

A.薄膜厚度

B.沉积速率和温度

C.薄膜成分

D.以上所有

10.下列哪种技术通常用于制备超薄（纳米级）薄膜？（）

A.溅射沉积

B.高真空蒸发

C.原子层沉积（ALD）

D.等离子体刻蚀（作为沉积手段时）

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填在横线上）

1.薄膜制备方法按物理过程可分为______沉积和______沉积两大类。

2.薄膜生长过程通常经历______和______两个阶段。

3.衡量薄膜光学性能的重要参数有透射率、反射率和______。

4.薄膜力学性能主要包括硬度、韧性和______。

5.常用的薄膜结构表征方法有X射线衍射（XRD）和______。

6.为了获得良好的附着力，通常需要对基底进行______或______处理。

7.磁记录薄膜通常要求具有高______和适当的______。

8.氧化硅（SiO?）薄膜在微电子工业中常用作______和______。

9.气相沉积技术中，反应气体在到达基底前发生化学反应的技术称为______沉积。

10.薄膜应力分为______应力和______应力。

三、名词解释（每题3分，共12分。请给出每个名词的准确定义）

1.成核

2.沉积速率

3.薄膜厚度

4.附着力

四、简答题（每题5分，共20分。请简要回答下列问题）

1.简述物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）的基本原理和主要区别。

2.简述影响薄膜生长速率的主要因素。

3.简述薄膜结构表征中，X射线衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）各自的主要作用。

4.简述增透膜的工作原理。

五、计算题（每题6分，共12分。请列出计算步骤，写出答案并注明单位）

1.某化学气相沉积实验中，以甲烷（CH?）为源气体，氢气（H?）为稀释气体。已知沉积环境总压强为1.0×10?Pa，甲烷和氢气的分压强分别为1.0×103Pa和9.9×10?Pa。若沉积速率为10nm/min，假设薄膜中碳氢元素比例为1:4（原子比），计算甲烷的转化率（即沉积1nm厚的薄膜消耗的甲烷分子数与总注入甲烷分子数的比值）。

2.一块面积为10cm2的基底，经过等离子清洗后，在磁控溅射条件下沉积了1小时。已知溅射功率为200W，靶材利用率为50%，薄膜沉积速率为100?/min。假设薄膜均匀覆盖基底，计算最终薄膜的厚度。

六、论述题（每题7分，共14分。请结合所学知识，进行分析和论述）

1.论述薄膜的力学性能（如硬度、韧性）对其在耐磨涂层或电子器件中的应用有何影响。

2.结合薄膜制备技术，论述如何控制薄膜的应力状态，及