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固体物理学题库试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（请将正确选项的字母填在题后的括号内。每小题2分，共20分）

1.晶体学中，描述晶体空间结构重复性的基本单元是？

(A)晶胞

(B)晶格点

(C)简单几何图形

(D)晶系

2.对于一维无限深势阱，粒子能级从低到高依次排列，第n能级的能量En与n的关系是？

(A)En∝n

(B)En∝n2

(C)En∝1/n

(D)En∝1/n2

3.根据能带理论，导体、半导体和绝缘体在常温下区分的主要依据是？

(A)导体具有满的价带

(B)半导体具有较窄的禁带宽度

(C)绝缘体具有满的价带和很宽的禁带宽度

(D)绝缘体没有能带

4.晶格振动中，声子与光子最本质的区别在于？

(A)声子有静止质量，光子没有

(B)声子是玻色子，光子是费米子

(C)声子只能近独立运动，光子可以形成光子态

(D)声子能量与频率成正比，光子能量与频率成正比

5.德拜模型用来描述晶体中声子的态密度分布，其核心假设之一是？

(A)声子是弹性波

(B)声子具有玻色统计性

(C)晶格振动频率分布是均匀的

(D)忽略晶格边界效应

6.对于金属导体，其电导率σ主要由哪一项决定？

(A)导体中的自由电子浓度

(B)导体中的离子浓度

(C)自由电子的迁移率

(D)以上所有因素共同决定

7.晶体中的点缺陷，空位的存在会使？

(A)晶体晶格常数增大

(B)晶体晶格常数减小

(C)晶体晶格常数不变

(D)晶体结构对称性提高

8.位错的线密度（β）定义为？

(A)位错线单位长度上的位移

(B)单位长度上的位错线段

(C)位错引起的晶体旋转角

(D)位错线移动的距离

9.理想晶体中，位错的运动会受到哪些因素的阻碍？

(A)晶格势垒

(B)其他位错相互作用

(C)点缺陷和线缺陷的钉扎

(D)以上所有因素

10.半导体中，掺杂三价元素（如硼）形成P型半导体，其主要原因是？

(A)提供了额外的自由电子

(B)产生了空穴（空位）

(C)降低了半导体的禁带宽度

(D)改变了半导体的导电类型为金属性

二、填空题（请将答案填在题后的横线上。每空2分，共20分）

1.描述晶体空间对称性的数学工具是________。

2.根据布洛赫定理，一维周期势场中电子波函数ψ(r)的形式为ψ(r)=eik·r·u(r)，其中u(r)满足________关系。

3.能带理论的基础是量子力学中的________效应和电子的泡利不相容原理。

4.在绝缘体中，价带是________的，禁带宽度很________。

5.晶格热振动的能量按温度T的________次方变化，这一规律适用于T→0K的极限情况（德拜模型）。

6.金属的霍尔系数通常为________（正或负）值。

7.位错线在晶体中运动时，需要克服一个额外的势垒，称为________。

8.形成金属键的主要原因是原子间共享价电子，形成________。

9.在半导体中，自由电子和空穴都参与导电，其导电机制属于________型导电。

10.晶体缺陷按其几何形态可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷，空位属于________缺陷。

三、简答题（请简要回答下列问题。每题5分，共20分）

1.简述费米能级在金属固体中的物理意义。

2.解释什么是能带？简述能带形成的物理原因。

3.什么是位错？它在晶体塑性变形中起什么作用？

4.简述半导体掺杂对导电性能的影响。

四、计算题（请写出必要的公式、代入数据及计算过程。每题10分，共30分）

1.设一维无限深势阱宽度为a。求：

(1)第一激发态（n=2）的电子能量E2与基态能量E1之比。

(2)若势阱宽度a=1?，计算电子从基态跃迁到第一激发态所需的能量。

2.金属铜（Cu）的密度为8.96g/cm3，摩尔质量为63.55g/mol，原子序数为29，假设每个铜原子提供一个自由电子。试估算铜的电子气体的费米能级（以eV为单位）。(提示：可近似认为自由电子数密度等于原子数密度，费米能级E_F