SVF12N60FSK沟道增强型场效应管 说明书.PDFVIP

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SVF12N60F/S/K说明书

12A、600VN沟道增强型场效应管

描述

SVF12N60F/S/KN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用

士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及元

胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩

击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压

H桥PWM马达驱动。

特点

12A,600V,RDS(on)(典型值)=0.58@VGS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装

SVF12N60FTO-220F-3LSVF12N60F无铅料管

SVF12N60STO-263-2LSVF12N60S无卤料管

SVF12N60STRTO-263-2LSVF12N60S无卤编带

SVF12N60KTO-262-3LSVF12N60K无铅料管

杭州士兰微电子股份有限公司版本号:2.5

http://共10页第1页

SVF12N60F/S/K说明书

极限参数(除非特殊说明,T=25C)

C

参数范围

参数符号单位

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