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非晶SiN膜的发光性质及非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构存储特性的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电领域，硅基纳米材料凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，已成为研究的焦点。近几十年间，硅基纳米材料飞速发展，逐步成为新一代光电信息材料的核心组成部分，在发光器件、光电子集成技术等关键领域发挥着不可替代的作用。

其中，纳米硅（Nc-Si）因量子限域效应，镶嵌在氧化硅或Si/SiO?超晶格中时展现出特殊的光学性质，成为研究的热门与前沿。然而，氮化硅作为一种宽带隙半导体，带隙约为5.3eV，具备较强的光发射能力，且相较于二氧化硅，其较窄的带隙更有利于载流子注入。这使得非晶SiN膜成为研究硅基复合物发光的理想候选材料，在光电器件中具有极大的应用潜力，如可用于制造高效的发光二极管、光电探测器等。

非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构则结合了纳米硅与非晶SiN膜的优势，在电荷存储、信息处理等方面展现出独特的性能，有望应用于新型存储器件，为解决当前存储技术面临的存储密度低、读写速度慢等问题提供新的思路。对非晶SiN膜的发光性质以及非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构的存储特性进行深入研究，不仅能够深化我们对硅基纳米材料光电性能的认识，揭示其内在物理机制，还能为开发高性能、低成本的光电器件和存储器件提供坚实的理论基础与技术支持，推动整个光电领域的发展与进步。

1.2国内外研究现状

国内外众多科研团队围绕非晶SiN膜的发光性质展开了大量研究。在制备方法上，主要采用磁控溅射法、射频磁控溅射技术等。有研究通过磁控溅射法在单晶硅衬底上生长非晶SiN薄膜，并结合傅立叶变换红外汲取（FTIR）光谱分析发现，随着溅射功率的增加，Si-N键的汲取谱带逐渐红移，退火后又逐渐蓝移，在足够高的温度下SiN会发生相分离，生成Nc-Si和Si?N?。也有团队采用射频磁控溅射技术制备非晶氮化硅薄膜，测试其光致发光谱（PL）和光致发光激发谱（PLE）后发现，在可见光范围内薄膜有良好的光致发光性质，主要发光峰来自电子在导带与缺陷能级以及缺陷能级与价带之间的辐射复合。

对于非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构的存储特性研究，国外在探索该结构的电荷存储机制和性能优化方面取得了一定进展，发现通过控制纳米Si的尺寸和分布，可以有效调节结构的存储性能。国内则侧重于研究该结构与现有半导体工艺的兼容性，以及在实际应用中的稳定性和可靠性。

尽管已取得上述成果，但目前仍存在一些研究空白与不足。例如，对于非晶SiN膜发光的精确机制尚未完全明确，不同制备条件下薄膜发光性质的差异及内在联系缺乏系统研究；在非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构的存储特性研究中，如何进一步提高存储密度和读写速度，以及如何降低结构的制备成本和复杂性，仍是亟待解决的问题。

1.3研究内容与方法

本研究主要聚焦于两个关键方面：一是深入探究非晶SiN膜的发光性质，包括分析不同制备条件（如溅射功率、衬底温度等）对薄膜结构和发光特性的影响，通过光谱分析等手段揭示其发光机制；二是全面研究非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构的存储特性，分析纳米Si的尺寸、分布以及非晶SiN膜的厚度等因素对存储性能的影响，探索提高存储密度和读写速度的有效方法。

在研究方法上，采用磁控溅射法制备非晶SiN膜和非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构样品。利用傅立叶变换红外光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）等分析手段对样品的结构和化学组成进行表征；通过光致发光光谱（PL）、电致发光测试等研究非晶SiN膜的发光性质；借助电容-电压（C-V）测试、电流-电压（I-V）测试等方法对非晶SiN/纳米Si/非晶SiN结构的存储特性进行分析。同时，结合理论计算和模拟，深入理解材料的物理机制，为实验结果提供理论支持。

二、非晶SiN膜的基础研究

2.1非晶SiN膜的制备方法

2.1.1磁控溅射法

磁控溅射法是在真空中利用电场加速氩气离子，使其轰击氮化硅靶材表面，溅射出靶材原子，这些原子沉积在衬底上逐渐形成非晶SiN膜。在电场作用下，电子加速飞向衬底，与氩原子碰撞，电离出大量氩离子和电子。氩离子在电场加速下轰击靶材，溅射出靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在衬底上成膜。二次电子在加速飞向衬底过程中受到磁场洛伦兹力影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域等离子体密度很高，二次电子在磁场作用下围绕靶面作圆周运动，运动路径很长，不断与氩原子发生碰撞电离出大量氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子能量逐渐降低，摆脱磁力线