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非极性AlGaN材料生长及探测器制备技术的深度剖析与创新研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在光电器件领域，半导体材料始终是推动技术进步的核心要素。随着科技的飞速发展，对高性能光电器件的需求日益增长，这促使科研人员不断探索和研发新型半导体材料及其相关技术。非极性AlGaN材料作为第三代半导体材料中的重要一员，因其独特的物理性质和卓越的性能，在光电器件领域展现出了巨大的应用潜力，成为了当前研究的热点之一。

AlGaN材料是由铝（Al）和镓（Ga）的氮化物组成的合金，属于直接带隙半导体。其禁带宽度可在一定范围内通过调节Al和Ga的组分比例进行改变，这种可调节的禁带宽度特性使得A